管法兰焊接生产线在电力铁塔制作中的应用

0 概述 近10 a来我国输电线路里程增加了1倍多,在电网建设的过程中,输电塔也得到了前所未有的发展,从早期的以木材为主要材料,到现在的以钢材为主要材料,塔高也从几m增加到346.5 m(世界输电第1高塔).     

刚性有机填料UPS对PVC/CPE韧性体改性的TEM研究

氯化聚乙烯 (ＣＰＥ)是聚氯乙烯 (ＰＶＣ)最常见的增韧改性剂。虽然ＣＰＥ的加入能使冲击强度大大提高 ,但增韧使ＰＶＣ原有的宝贵刚性强度受损 ,加工流动性及抗热变形性也进一步恶化。研究表明[1～ 3 ] ,添加小份量的有机刚性聚合物粒子如ＳＡＮ(聚乙烯 丙烯腈共聚物 ) ,ＵＰＳ(超细聚苯乙烯 ) ,ＰＭＭＡ(聚甲基丙烯酸甲酯 ) )能提高ＰＶＣ韧性体(ＰＶＣ ＣＰＥ)的抗冲击性 ,并保持基体拉伸强度不受损害或同时得到改善。刚性有机填料 (ｒｉｇｉｄｏｒｇａｎｉｃｆｉｌｌｅｒ简称ＲＯＦ) ,多指刚性有机聚合物 ,为近年来国际上提出用于工程…     

纯镍多晶体循环形变过程中位错结构的TEM研究

对纯镍多晶体循环形变过程中的位错微结构,特别是住留滑移带(PSB)的形成及其特性进行了TEM观察,并通过选区电子衍射确定了晶粒膜面及其它晶体学取向。结果表明,在循环饱和的开始点(N=1800)附近已观察到以梯状花样为特征的PSB(图1)。说明循环硬化阶段的末端基本上与PSB的成核相对应。PSB结构是一种体效应。疲劳镍多晶体晶粒边界是PSB传播的有效障碍(图2)。而孪晶的存在有利于PSB的形成(图3)。PSB在内部晶粒中形成、传播,除在晶界处受阻终止外,也可在同一晶粒内变细(图3),甚至变细为一点。在某些有利于多滑移的晶粒中,除原滑移系统上相互平行的PSB     

电容储能式逆变点焊机的研制

针对特殊结构和材料的焊接性能，指出目前的焊接问题主要是存在飞溅和接触电阻过大而带来的“打火”现象；提出了将高频脉冲电流用于电阻点焊，理论上可以彻底消除飞溅；采用电容储能焊技术可以消除“打火”现象。将电容储能焊与逆变技术相结合，成功研制了电容储能式逆变点焊机’试验表明该焊机完全满足桥带的焊接工艺要求，并且消除了焊接飞溅和“打火”现象。     

电镜中真空系统的返油与消除

本文以ＪＥＭ－２０００ＥＭ为例，分析了电镜真空系统返油产生的原因，及其对电镜的危害。对返油现象作了电路和故障的分析，同时提出了识别方法与消除措施。     

包覆型ZrO2（3Y）粉体研制

用微波法制备单分散、纳米水合二氧化锆，利用异相成核工艺在水合二氧化锆粒子表面均匀包覆一层Y（OH）3，制备出包覆型ZrO2（3Y）粉体先驱体．最后对煅烧ZrO2（3Y）粉体进行相结构分析，发现在室温下包覆型ZrO2（3Y）粉体中无m－ZrO2存在．结果表明；利用包覆的方法能将Y2O3均匀地加入到ZrO2中，提高ZrO2（3Y）粉体中亚稳定t－ZrO2的含量．     

纳米ZrO2水悬浮液稳定性的研究

本文选用２纳米粉ＺｒＯ２，分别采用单一静电稳定机制、加入ＰＥＧ的空间阻稳定机制和加入ＰＭＡＡ－ＮＨ４的是空间稳定机制制备成２ｖｏｌ％的ｒＯ２水悬浮液，通过Ｚｅｔａ电位、沉降实验和粘度测定及粒度分析等手段，最终分别得到了酸性和碱性条件下的高分散、高稳定的ＺｒＯ２水悬浮液。     

TEM研究交联聚苯乙烯乳胶粒实时粒径大小及分布

通过透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察了苯乙烯／双烯Ａ乳液聚　合过程中实时乳胶粒的生长　过程,结果表明,控制乳胶粒尺寸的最佳时间是在反应的最初阶段。同时还比较了引发剂和　乳化剂加入量不同对乳胶粒粒径大小的影响,结果发现,乳胶粒的粒径随引发剂浓度的增大　而减小,对于分两次加入乳化剂的情况,起决定作用的是第一次的加入量。     

聚合物接枝碳酸钙的电镜观察

对超细碳酸钙和聚丁二烯接枝处理后的碳酸钙粉末进行了TEM观察。同时用SEM研究了填充超细碳酸钙和接枝处理碳酸钙的丁苯橡胶样品的断口形貌。结果表明,在接枝处理CaCo_3的表面存在一层复盖物,填充接枝处理CaCo_3的丁苯橡胶样品的断口表现出橡胶基体形变后断裂的断口特征。这说明橡胶基体与碳酸钙之间有良好的浸润性和粘结性,从而明显改善了碳酸钙对橡胶基体的补强性能。     

碳化硅晶须抗氧化性能的TEM研究

碳化硅是最好的晶须材料之一,在用碳热还原法合成碳化硅纳米晶须时,原料中碳往往过量10wt.%左右。碳过量有利于碳化硅纳米晶须的形成和产率的提高,过量的碳一般采用在空气中高温氧化的方法除去。碳化硅纳米晶须抗氧化性能的好坏,直接影响到脱碳温度和时间的选择,以达到既除去样品中的碳又防止碳化硅纳米晶须大量氧化的目的。本文利用透射电子显微镜对碳化硅纳米晶须的抗氧化性能进行了初步研究。图1是未经空气中氧化的碳化硅纳米晶须的TEM照片,从图中可看出碳化硅纳米晶须的表面光滑,无SiO2包覆层。图2a是在500℃下恒温2h得到的碳化硅纳米…