改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.     

Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件

在Ar~+激光再结晶多晶硅岛上制备出的CMOS/SOI器件,性能良好。N沟和P沟MOSFE7在沟道长度为4μm时,低场电子和空穴表面迁移串分别为510cm~2/V.s和142cm~2/V.s;CMOS六倒相器有好的静态和瞬态特性;CMOS九级环形振荡器P沟负载管和N沟输入管的W/L分别为112μm/6μm和52μm/6μm,其最小传输延时为2.8ns/级,最小延迟功耗乘积为2.6pJ/级。速度性能优于同尺寸的体硅CMOS器件。     

BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究

本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。     

激光再结晶和氢退火对多晶硅电学性质的影响

连续Ar~+激光再结晶能使多晶硅的电阻率下降,迁移率显著增高,对离子注入剂量为5×10~(11)—5×10~(15)cm~(-2)的多晶硅经激光再结晶后再进行等离子氢退火,能使其电学性质得到进一步改善,更接近于单晶硅.掺杂浓度为1×10~(17)cm~(-3)时,电阻率从1.2Ω·cm下降到0.45Ω·cm,迁移率从 62cm~2/V·s增高到 271cm~2/V·s,电激活能从 0.03eV下降到-0.007eV,晶界陷阱态密度从3.7×10~(11)cm~(-2)下降到 1.7×10~(11)cm~(-2)。本文在现有多晶硅导电模型的基础上.提出了大晶粒(L=15μm)多晶硅的计算公式。结果表明,在掺杂浓度在1×10~(16)—1×10~(20)cm~(-3)的范围内,理论和实验符合较好。     

INFLUENCE OF LASER RECRYSTALLIZATION AND HYDROGEN ANNEALING ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF POLYSILICON

Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been recrystallized with CW Ar~+ laser beforeimplantation.Electrical measurements show that the resistivity is lowered and the mobility is increasedsignificantly at low doping concentration(～10~(17)As~+/cm~3).Plasma     

SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备

采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。     

SOI技术的新进展

通过对最近两次SOI国际会议的分析,综述了SOI技术取得的新进展。三种SOI技术SIMOX,Smart-cut和BESOI已走向商业化,在高温与辐射环境下工作的SOI电路也走向了市场。近来人们更加重视SOI技术,是因为SOI在实现低压、低功耗电路上的突出优越性。     

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度