功率型LED封装技术简述

从芯片结构、封装工艺、封装结构以及封装材料等方面对功率型LED封装技术作了介绍,并对功率型LED封装技术的发展进行了展望。     

等量La-Co掺杂对干压各向异性SrFe_(12)O_(19)结构和磁性能的影响

以Y30H-2预烧料作为基料,采用陶瓷法制备La-Co掺杂的干压各向异性Sr1-xLaxFe12-xCoxO19(x=0~0.10)锶铁氧体,研究La3+-Co2+共同替代对锶铁氧体结构和磁性能的影响。XRD射线衍射分析表明,La-Co掺杂并没有改变锶铁氧体结构,锶铁氧体主体仍为六角晶结构;SEM分析表明,La-Co掺杂能使晶粒粒度变细;磁性能测量显示,样品的Hcj随掺杂量的增加先增大后减小,当取代量x=0.06时,Hcj达到最大值。Br则随掺杂量的增加呈现不规则的变化。K值的变化表明,当x=0.04时,锶铁氧体的综合性能最佳。     

湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响

通过传统的陶瓷工艺制备锶铁氧体预烧料,研究了湿磨工艺对锶铁氧体预烧料性能的影响。结果表明,碳酸锶一次湿磨时间对碳酸锶和预烧料粒度影响较大,不同湿磨工艺下预烧料微观结构差异较大,饱和磁化强度随碳酸锶一次湿磨时间的延长先增大后减小。当碳酸锶一次湿磨时间为2.5h时,样品形貌呈六角片状,致密性较好,并且Ms较优,为72.09 A·m2/kg。     

垂直结构LEDNi/Sn合金背金层的制备及其性能研究

采用真空蒸镀法制备了垂直结构LED Ni/Sn合金背金层,通过扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的物相和微观结构进行了表征,同时还研究了该合金作为LED背金层的光电性能。实验结果表明,在相同的蒸发速率条件下,随着基底温度的升高,沉积的合金颗粒逐渐增大,相应的薄膜的电阻率呈下降趋势。以蒸发速率为2/s、基底温度为100℃作为工艺条件制得背金层薄膜垂直结构LED,其电学性能与贵金属Au作为LED背金层的垂直结构芯片电学性能相当。     

LED封装用有机硅树脂的研究

对比LED封装用环氧树脂和有机硅树脂的性质,对比分析目前市场上主要LED封装用有机硅树脂的类型及其研究现状。深入分析了封装企业在使用LED有机硅树脂中存在的问题,并提出研究及使用建议。