反应自生成AlN传质过程的研究

根据反应自生成AIN的传质及生长特征,构造出传质模型,并建立了传质方程.分析表明：整个反应过程分AlN晶体生长并伴随Si元素富集及AlN、Si_cry,晶体共生两个阶段进行;N原子的扩散传质速率是控制总反应速率的关键因素.     

反应自生复合(RSC)材料生长的EVLS机制提出与研究

本文提出反应自生复合(RSC)材料生长的Extended Vapor-Liquid Solid(EVLS)机制。以Al-2.96Mg-7.60Si为母材制备RSC材料,并运用光学显微分析、SEM及EPMA等技术手段,对EVLS模型进行了实验分析研究和验证。     

Al2O3/Al复合材料氧化生长的动力学研究

通过热重分析实验,研究了Al-Mg-Si合金熔体在高温空气气氛中直接氧化的孕育期与工艺温度及母合金中Mg、Si含量的关系,摸清了铝合金本体氧化的表观活化能与母合金Mg、Si含量的关系,证实了Al-Mg-Si合金直接氧化过程符合Arrhenius公式.     

Lanxide Al/Al2O3陶瓷基复合材料的显微结构研究

本文利用XRD、EPMA,SEM等分析方法对Lanxide技术制备的Al/Al₂O₃复合材料的显微结构进行了研究。结果表明,Lanxide Al/Al₂O₃材料是以三维连通骨架状α-Al₂O₃为基体的陶瓷基复合材料,网状或点块状金属相(Al、Si)和孔洞相分布于Al₂O₃晶间或晶粒内。改变工艺对材料的组织和性能有较大影响。     

各向异性纳米晶复合稀土磁体的研制

作者成功地开发了全密度各向异性纳米晶复合稀土永磁体,其制备技术新颖,工艺成本低.采用粉末混合技术,纳米磁体的(BH)max可以达到320～400kJ/m3(40～50MGOe).而采用粉末镀膜技术,(BH)max可达360～440kJ/m3(45～55MGOe).这样,制备各向异性纳米晶复合稀土磁体的主要技术困难就得到了克服.此外,作者观察到纳米晶粒复合磁体中软磁相的尺寸可达数十微米.这一尺寸是目前的界面交换耦合模型所建议的软磁相尺寸上限的一千倍以上.继续减小软磁相的尺寸并改善其分布将会进一步改善纳米晶粒复合磁体的磁性能.     

Lanxide技术合成AlN材料的反应过程及组织特征

本文分析了以Lanxide技术合成AlN的生长过程,发现AlN晶体生长具有明显的方向性,XRD分析表明：AlN晶体的生长方向为[0001]晶向.反应过程中AlN由基体表面向气氛中不断深入生长,形成了纤维状或称柱状晶体组织.反应初期Mg元素的挥发非常强烈,Mg蒸气参与表面反应,生成一层疏松的复相表层,有利于反应的深入进行.氮化过程中Si元素存在富集现象,造成宏观组织的成份不均匀性.