一种计算电压稳定边界的两阶段潮流方法

提出一种具有解析性质且能近似用于描述系统电压稳定性的特征指标,基于该指标提出一种计算电压稳定边界的两阶段混合潮流方法。在阶段1中,利用二分法原理确定重复潮流计算过程中的功率增长步长,快速求出系统的近似电压稳定边界;在阶段2中,采用连续潮流技术对电压稳定边界进行精确计算;在整个计算过程中,利用提出的特征指标识别系统是否已经接近于极限运行状态,进而判别何时进行阶段1和阶段2的更换。仿真结果表明,所提方法可以减少潮流计算的次数,从而提高电压稳定边界的计算速度。     

电力系统戴维南等值参数的解析与思考

快速准确地评估关键负荷节点的戴维南等值参数,是进行电压稳定监视与防御电压失稳的一项重要工作.首先对电力系统戴维南等值问题进行了分析和描述,并对现有的电力系统戴维南等值参数评估方法存在的问题及其根源进行了解读,分析了可能的解决思路.然后通过一个具有解析表达式的网络等值电路和方程,对戴维南等值问题进行了解析;并基于这一解析等值电路,研究分析了2种典型等值方式与戴维南等值的关系.算例分析结果表明该方法可行.     

Al3+掺杂对KDP晶体生长习性的影响

溶液中微量Al3+对KDP(磷酸二氢钾)晶体生长具有多方面的影响.本文通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法生长了Al3+离子掺杂的KDP晶体,并通过激光偏振法实时测量了晶体柱面的生长速度和死区.实验表明,当Al3+掺杂浓度小于20×10-6 ppm时可提高溶液的稳定性,并抑制柱面的扩展;而当浓度高于20×10-6 ppm时会使传统法生长的晶体发生明显的"楔化",成帽区延长,快速法生长的晶体变得细长;高浓度(>50×10-6 ppm)时溶液稳定性遭到破坏,晶体出现开裂、包藏等宏观缺陷.KDP晶体的表面形貌也随掺杂发生改变.     

基于前向神经网络的非线性时变系统辨识的改进递推最小二乘算法

标准的递推最小二乘算法随着递推次数的增加,增益矩阵将逐渐趋于零,致使递推算法慢慢失去修正能力,出现所谓的“数据饱和”现象。为了克服“数据饱和”问题,本文首先对递推最小二乘算法进行改进,得到了改进的最小二乘算法(IRLS),并给出了收敛性证明,然后将该算法应用于基于前向神经网络的非线性时变系统辨识。通过对两个非线性时变系统进行有效验证,仿真结果表明本文算法计算精度高、计算速度快、数值稳定性好,并能有效克服“数据饱和”。     

氘含量对K(H1-xDx)2PO4晶体结构及完整性的影响

采 用 传 统 降 温 法 生 长 了 一 系 列 的K(H1-xDx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a 随氘含量的增加而增大,参数c 则小幅度增大。对晶体的高分辨X射线衍射研究,结果表明KDP-DKDP混晶中,D取代部分的H原子对晶体的结晶完整性影响较小。     

采用SVD方法的附加阻尼控制器配置

为正确选择附加阻尼控制器的配置点,在建立多机电力系统传递函数矩阵的基础上采用奇异值分解的方法,给出了附加阻尼控制器配置点的评价指标。该评价指标与留数法评价指标具有一致性,通过求解传递函数矩阵的最大奇异值及其奇异向量来识别每台发电机对振荡模态的贡献程度,从而找出附加阻尼控制器的最佳配置点,简化了计算过程和运算量。为了获得复杂电力系统的传递函数,引入普罗尼分析的方法进行传递函数辨识,以给大规模电力系统在线模型辨识提供有利支持。最后将该方法应用于多机电力系统的PSS和SVC附加阻尼控制器配置点选择,分析获得其最佳配置点,验证了配置点的合理性。     

多机电力系统附加励磁控制器的优化配置

针对多机电力系统附加励磁控制器安装位置选择问题,基于奇异值分解的相关理论,利用传递函数矩阵给出附加励磁控制器安装地点的评价指标.该评价指标不需要系统状态矩阵的QR分解和传递函数留数的计算,通过求解系统输入-输出的传递函数矩阵的最大奇异值及其奇异向量来识别每台发电机对振荡模态的贡献程度,从而简化了计算过程和运算量.将该方法应用于多机电力系统,找出了影响每个振荡模态的最小数目的机组及附加阻尼控制器的最佳配置点,验证了该方法的正确性.     

高热导率氮化铝陶瓷研究进展

氮化铝(AIN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料.本文简要介绍了氮化铝陶瓷的基本特性,重点总结了氮化铝陶瓷的国内外研究现状及其制备工艺,并列举了一些氮化铝陶瓷的应用实例.     

研究性三相电路实验教学探讨

本文以培养学生的创新能力和学习主动性为出发点,对三相电路实验进行了改进,将其转变为集验证性和探索性为一体的研究性实验.以故障电路的设计及结果分析为核心,通过给出实验目的、设计要求及可用的实验仪器,由学生自主设计实验内容、自主观察实验现象、总结分析测量结果,并期望其提出避免或减小故障危害的有效措施.     

Cr3+掺杂对快速生长KDP晶体的生长习性和光学性能的影响

采用快速法生长了掺杂不同Cr3+浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体(100)面在不同Cr3+掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3+掺杂的KDP晶体的Cr3+元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3+易吸附在晶体(100)面,从而增大了(100)生长死区,并降低了(100)面生长速度.Cr3+使快...