高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

CO_2激光治疗人为纹身

去除人为纹身，以往多采用手术切除的方法，因需自体植皮并留有疤痕而不尽人意。我们采用CO2激光对6例纹身去除，均取得满意效果，特报道如下：临床资料采用国产HN2－Ⅱ型CO2激光治疗器行纹身去除，6例均为男性，年令18～25岁，前臂2例、上臂外侧2例、背部2例。其中文字图像4例、图案图像2例。去除方法：术前常规消毒患处，用2％普鲁卡因进行局部浸润麻醉，激光头对准患处行扫描式烧灼；然后用盐水棉球擦去炭化组织，观察色素是否去除，如未去除再重复烧灼，术后创面用红霉素软膏涂敷。5天后红肿反应基本消失、乃行补治。补治目的一针对…     

哲学家尼可与贼王淖鲁

午间总是慵懒的。细密和顺的阳光透过薄如蝉翼的窗纱,均匀地洒在宽阔的飘窗石台上,像照亮了一条悠远的道路。这正是尼可用来散步的道路。像巴黎的香榭丽舍大街对于萨特,德国南部斯图加特城对于黑格尔的意义一样,哲学家尼可是把散步用来思考的。飘窗的宽广足以让尼可把这种思考的时间拉得很长。通常状态下,它都是迈着标准的猫步,使身体的线条尽可能地接近流线型,虽然丰满的臀部在这次活动中被迫扭来扭去,极尽     

DSP与PC间的数据通讯

DSP由于具有高性能和灵活可编程的优点而得到广泛的应用。文章给出了用PC机作主机 ,DSP作从机来实现DSP与PC机间有效、可靠通讯的实现方法。同时通过一个数据传输程序的例子来详细阐述如何使用VB6.0专业版作为开发工具 ,并利用DSP中的SCI(SerialCommunicationInter face)模块来实现DSP与微机间的数据传递方法。     

高能多脉冲超正压射孔技术

高能多脉冲超正压射孔技术是一项利用高能燃料的燃烧在目的层产生压力的超正压射孔或增产新技术。主要介绍了该技术的基本原理和装置的结构设计，并给出了该技术在国内一些油田的应用实例。实例说明，该技术是一项非常好的完井或增产新技术。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。