(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3-Co0.85Cu0.15Fe2O4复合陶瓷的磁电性能研究

以压电体(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和压磁体Co0.85Cu0.15Fe2O4为原料,通过传统的固相反应法制备了(1-x)[(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3]-xCo0.85Cu0.15Fe2O4多铁性复合陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、压电测试仪、铁电测试仪和磁电耦合测试仪对物相、显微结构、压电、铁电、磁电耦合性能进行了分析。结果表明,复合陶瓷的相结构保持为(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和Co0.85Cu0.15Fe2O4两种物相,但两者之间发生了轻微的化学反应。随着Co0.85Cu0.15Fe2O4压磁相含量的增加,复合陶瓷的压电系数从56pC/N减小到21pC/N,剩余极化强度略有降低。在压磁相含量为0.2时可获得4.3mV·cm-1·Oe-1的最佳磁电耦合系数。     

基于ADSP的视频SoC验证方案及其接口的设计

视频SoC规模的飞速增长,给FPGA验证带来了很大的挑战,大容量的外部SDRAM以及更多的外设模块的采用,不但增加了硬件的复杂度,也给相应驱动程序的调试带来了很大的难度.为了全面有效地进行FPGA验证,提出了一种在SoC验证平台中利用ADSP-BF537作为处理器的验证方案,并重点介绍了ADSP外部Memory总线和SoC系统总线(AHB)转换模块的设计.该方案已成功运用于视频SoC的验证系统中,既降低了开发成本,又提高了系统验证的效率和功能的完整性.     

ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展

ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al^3＋掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行“能带剪裁”可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO：Al的基本特性、制备方法及研究进展。     

储能用无铅铁电陶瓷介质材料研究进展

铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,具有高性能的无铅铁电材料的研究和使用对人类健康和环境保护具有重要意义。本文从储能用无铅铁电陶瓷块体和薄膜材料两方面出发,综述了近年来国内外学者在无铅储能铁电陶瓷方面的研究进展,并对无铅铁电陶瓷在电介质储能领域的发展进行了展望。     

退火温度对Bi_4Ti_3O_(12)_Bi_3TiNbO_9复合薄膜铁电性能的影响

研究了退火工艺对溶胶-凝胶法Bi4Ti3O12_Bi3TiNbO9复合薄膜铁电性能的影响。结果表明,采用溶胶-凝胶工艺制备Bi4Ti3O12_Bi3TiNbO9复合薄膜,可将薄膜的剩余极化值Pr提高到19.8μC/cm2(而Bi4Ti3O12薄膜的Pr只有15μC/cm2);薄膜在650℃退火可获得最佳的铁电性能。     

Optimizing structure for constructing a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode with stable electroluminescent spectra

We demonstrate a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode （TOLED） having stable electroluminescent spectra and color coordination with variation of viewing angles by simply tuning the reso- nance wavelength corresponding to the free emission of the emitter. Using a doped fluorescent emitting system, the inverted TOLED exhibits an enhanced maximum current efficiency of 19 cd/A and a power efficiency of 17 lm/W, which are much higher than those （11 cd/A and 5 lm/W） of the counterpart with normal structure, although both TOLEDs behave with similar stable electroluminescent spectra characteristics. The results indicate that we provide a simple and effective method of constructing an excellent inverted TOLED for potentially practical applications.     

ZAO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究

以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜.用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能的影响.当掺杂浓度为1%(原子分数)、镀膜层数为12层、在氩气气氛下经过600℃退火时,得到电阻率为1.37×10-2Ω·cm、可见光范围内平均透射率超过90%的ZAO薄膜.     

复合离子(W0.5Mg0.5)4+掺杂BNBT陶瓷的微结构及低场/高场压电性能

采用固相烧结法制备了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂的(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)(W_(0.5)Mg_(0.5))_xO_3(BNBT-x WM)无铅陶瓷,研究了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂量对BNBT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、应变、压电、介电等电学性能的影响。结果表明:(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子进入了BNBT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构,且陶瓷样品晶界清晰,结构致密。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)掺杂增大了剩余极化强度和饱和极化强度。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子的掺杂使电致应变曲线由蝴蝶形变为嫩芽形,在x=0.03时获得0.429%(质量分数)的高电致应变响应,d_(33)*的最大值为833.1 pm/V,其外加高场仅有60 k V/cm。在x=0.02时其低场小信号的压电性能d_(33)有235 p C/N。BNBT-x WM陶瓷的介电常数随着掺杂含量的增多逐渐降低且平坦化,同时向弛豫铁电体转变。     

湿法刻蚀对ZnO∶Al透明导电薄膜结构与性能的影响

室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3％(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜.研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响.结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响;经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7mnΩ· cm、8.8mQ·cm和8.6mΩ·cm;透光率略有下降,从80％分别下降到76％、77％和78％.0.5％的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构.薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶;在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留;在王水中刻蚀图案清晰且无残留.     

粉体及制备工艺对IGZO靶材致密度及形貌的影响北大核心CSCD

分别用化学共沉淀粉和单元氧化物混合粉为原料烧结制备In_2Ga_2ZnO_7(IGZO)靶材,对比研究了煅烧温度、烧结温度、烧结气氛、保温对靶材烧结致密度和微观结构的影响。结果表明,混合粉比共沉淀粉更容易促进烧结致密化,但通过选择合适的煅烧温度和烧结工艺,两种原料粉均可获得密度高于99.5%的IGZO靶材。靶材烧成前1100℃保温效果最好,最佳烧成温度区间为1400~1450℃。共沉淀粉优选煅烧温区为900~1050℃,烧结时对氧气气氛更敏感;混合粉优选煅烧温区为750~900℃,且在氧气气氛下烧结优于空气。此外,共沉淀粉烧结体晶粒均匀分布、晶界清晰,而混合粉的烧结体表面晶界模糊,呈"网格状"和"层状"形貌。