离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究

采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。     

工程机械底盘传动系机械封闭加载磨合试验台

文章介绍工程机械底盘传动系封闭加载磨合试验台的结构与传动原理,说明了加载器的构造和试验台的多种功能。     

Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.     

溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.     

Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.     

具有凸凹齿形的圆锥齿轮传动

在矿山机械中,圆锥齿轮在很重的负荷条件下工作,由于箱体尺寸的限制,在箱体刚度不足时导致齿轮轴的变形和倾斜。在载荷作用下,大的变形发生在矿山康拜因传动装置的最末一级,这一级往往是圆锥齿轮传动。圆弧齿     

溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

采用离子束溅射技术在不同Ar 能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar 能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar 能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.     

Si(001)面弛豫表面构型与电子结构的第一性原理

采用基于第一性原理的密度泛函方法对Si(001)表面进行理论研究,通过几何优化得到Si(001)表面的稳定结构.在结构优化的基础上,针对该表面研究表面能和原子弛豫与模型中原子层数和真空层厚度的关系.研究结果表明:模型中原子层数和真空层厚度对表面的表面能和原子构型有较大影响.当原子层数为8层,真空层厚度为1 nm时,表面能与原子弛豫程度趋于稳定;与理想晶格相比,表面弛豫导致表面层的电子结构和键合特性发生很大变化.弛豫后,体系能量降为最低,结构趋于更加稳定.