C－BN衬底上金刚石的异质外延生长研究

用热灯丝ＣＶＤ方法在Ｃ－ＢＮ单晶衬底上制备出金刚石膜，并且在Ｃ－ＢＮ（１００）面上观察到金刚石的异质外延。     

半导体金刚石薄膜的制备及性质研究

本文报导了利用灯丝热解CVD方法在单晶硅衬底表面气相合成硼掺杂p-型金刚石薄膜的方法和结果,并对其晶体结构、半导体性质及发光特性进行了较为系统的研究。     

高速生长CVD金刚石单晶及应用

文章简要地介绍了近年来国内外CVD金刚石单晶的高速生长和应用进展.实验中采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,同质外延高速生长金刚石单晶,通过改变反应腔压强、反应气氛(在CH4／H2中引入氮气N2、二氧化碳CO2、氧气O2、)等,调制单晶生长速率、质量、颜色、表面粗糙度、光谱等特性.利用高温氢等离子体进行退火,可使金刚石单晶的颜色有很大的改善.研制了CVD金刚石单晶刀具,用于金属材料的曲面镜面加工.     

用Ca3N2和Mg3N2合成cBN

分别以Ca3N2和Mg3N2作触媒进行cBN合成实验，对比了这两种触媒合成cBN的温度压力范围的差异，对得到的cBN晶体的形态、颜色和粒度分布等性质作了检测比较。实验结果表明，在Ca3N2-hBN系统中合成cBN的温度和压力条件较低，cBN稳定生长的温度压力范围也较宽（4．5～5．5GPa，1100～1450℃），实验的重复率较高，但得到的cBN晶体杂质较多，晶形不好。在Ca3N2-hBN系统中合成cBN所需的温度和压力条件较高，cBN稳定生长的温度压力范围与Ca3N2-hBN系统相比也很窄（5～5．5GPa，1400～1600℃）。Ca3N2作触媒得到的cBN晶体粒度偏细、晶形完整率高，抗压强度高于用Mg3N2合成得到的cBN晶体。用这两种触媒合成cBN时，添加剂（Li、Mg、Ca等具有触媒性质的物质与B、N、H等的化合物）的加入对合成结果有很大的影响，无添加剂存在时，两种触媒合成的试样中，cBN的转化率都很低，晶体的粒度很小；加入添加剂后，随添加剂加入比例的改变，cBN的转化率、粒度和颜色都有很大的变化，添加剂占实验样品重量百分比为0～4％时，cBN晶体转化率逐渐提高，晶体粒度逐渐增大，晶体颜色变深，当添加剂的重量百分比加大至5％～8％时，出现部分深棕色至黑色的cBN晶体，合成实验重复率降低。     

三聚氰胺（C3N6H6）的压制结构相变

本通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验（EDXRD），在14．7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1．3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8．2GPa又转变为正交相。     

三聚氰胺(C3N6H6)分子晶体的压致结构相变研究

本文通过对三聚氰胺（C3N6H6）的室温高奈原位同步辐射能量散射X－ray衍射实验（EDXD），在14.7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1.3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8.2GPa又转变为正交相。本实验结果为利用三聚氰胺碳氮有机分子晶体高温高压合成超硬C3N4共价晶体的研究提供了重要信息。     

CMOS/SOD电路的高温工作特性

采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。     

锐钛矿型TiO2 / MnFe2O4 核壳结构复合纳米颗粒的制备及其光催化特性

采用柠檬酸盐前驱体技术, 合成了粒径约为20～70 nm 的尖晶石结构MnFe₂O₄ 纳米颗粒, 用聚乙烯亚胺( PEI) 对MnFe₂O₄ 纳米颗粒进行表面处理后, 以异丙醇钛为前驱物, 采用sol2gel 法在纳米MnFe₂O₄ 表面包覆锐钛矿型TiO₂ 纳米层形成核壳结构。利用透射电子显微镜( TEM) 、X射线衍射仪(XRD) 和振动样品磁强计等测试手段对样品的结构、形貌、粒径以及磁学性能等进行了表征。采用罗丹明B 的光催化降解反应对所制催化剂的活性进行了评价。结果表明, 核壳结构TiO₂ / MnFe₂O₄ 复合纳米颗粒的光催化活性随着壳层厚度的增加而增强,当达到一定厚度以后, 其催化活性不随壳层厚度的增加而改变。复合颗粒中TiO₂ 含量达到30 wt % , 反应时间4 h时, TiO₂ / MnFe₂O₄ 磁性光催化剂对罗丹明B 的光降解率达到100 % , 与纯TiO₂ 纳米粉体的催化活性相当, 且光催化活性稳定, 是一种便于回收、可重复使用的高效光催化剂。     

立方 TaN纳米粉的制备

采用直流电弧法使金属钽和氮气直接反应制备出了TaN纳米粉.利用XRD、XPS、TEM等测试方法对所制备的TaN纳米粉进行了表征.结果表明：所制备的纳米粉为单一的立方相TaN,纳米颗粒的平均粒度为5～10nm.实验中还发现氮气的气压对制备纯立方相TaN具有关键性作用,并讨论了立方相TaN的形成机理.