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重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60~70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。 相似文献
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利用闪光式电池测试仪在不同温度和光强条件对单晶硅太阳电池进行了测试.研究发现,当温度在25~65 ℃时,单晶硅太阳电池光照特性的主要参数随着温度呈线性变化.随着温度的升高, 短路电流有小幅度上升,填充因子下降,开路电压的降幅达到2.3 mV/℃,效率降幅高于0.075 %/℃.当光强为340.1~4251.2 W/m2时,开路电压随着光强的增加呈指数关系增加,效率随着光强的增加先增加后减小,最大效率值16.67%出现在光强为952.7 W/m2的情况下,填充因子随着光强的增加减小,串联内阻的影响可以解释效率和填充因子下降的现象,在聚光条件下太阳电池的峰值功率得到显著提高. 相似文献
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