碳纳米管/铜复合薄膜的制备及表征

通过有机溶剂对多壁碳纳米管薄膜进行溶剂热及有机电镀处理,制备了高导电性能和载流能力的Cu/MWCNTs复合薄膜,其中铜晶体均匀的分布在MWCNTs内部及外部,且复合材料的密度仅为铜的1/4。在碳纳米管薄膜的电学性能提高下进一步分析了溶剂热、不同电流密度、退火还原及热压对碳纳米管电学性能的影响。结果表明:溶液浓度为7. 5 mmol/L电流密度为2 m A/cm2,沉积时间2 h,水浴温度为26℃,复合薄膜的性能达到最佳;退火温度为300℃,以及在1000℃和2. 6 MPa压力下热压,复合薄膜的电导率及载流性能达到最佳,分别为2. 5×107 S/m和1×105 A/cm2。     

浅析轻烃芳构化在新疆的应用

阐述分析了轻烃芳构化技术现状、芳构化工工艺研究进展,并简要介绍了这项技术在新疆的应用前景,央新疆地区运用此项技术可获得罗好的经济效益和社会效益,有一定工业应用价值。     

AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。     

碳纳米管/尼龙并股人工肌肉纤维的制备与性能表征

高度定向的尼龙纤维在加热时收缩且直径增加,扭曲然后卷绕这些材料的单丝形成螺旋弹簧,通过各向异性的热膨胀在加热时能够产生高的拉伸致动。通过使用电流来进行焦耳加热是控制驱动的便利方法。在这项工作中,浮动化学气相沉积法制备的碳纳米管纤维被用作肌肉表面的焦耳加热元件,人工肌肉在低电压下(小于1V/cm)可以观察到产生14.2%的线性驱动,能量密度达到538.1 J/kg。优异的循环性能预示着在智能织物领域有重要应用。     

多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.     

制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料

采用离子束增强技术（IBED）在Φ100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高线Al得到AlN样品，XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜，其N／Al比为0.618：1，扩展电阻结果表明其绝缘性能良好，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足键合需要。利用智能剥离技术（Smart-cut process)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI（silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片（XTEM）给出了此SOI结构，高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。     

全透明低回滞s-SWCNT/AgNW薄膜晶体管的可控制备

利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管(s-SWCNT)网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料,以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线(Ag NW)网络薄膜作为源、漏电极,在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列,并使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件,得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得,不需要高温过程,而且能够实现器件的大面积制备,对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。     

脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了AlN薄膜.X射线衍射(XRD)结果证实制备的AlN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善.电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的AlN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2.晶态AlN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的AlN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料.     

离子束增强沉积AlN薄膜的研究

利用离子束增强沉积9IBED）法成功地在Si(100）衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜。XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在0.05nm/s及0.10nm/s的蒸发速率下制得的薄膜N／Al分别为0.402:1和0.250:1。SRP测试结果表明,随着Al蒸发速率的提高,表面电阻下降,并助在0.05nm/s的速率下制得的薄均匀致密,表面电阻高于10^8Ω,性能良好,而当蒸发速率≥0.25nm/s时,薄膜绝缘性能迅速下降。AFM分析显示薄膜呈岛状分布,且0.05nm/s制取的样品表面呈鹅卵石密堆积,颗粒均匀,表面比0.10nm/s样品起伏平缓、光滑,薄膜的生长机制可能是三维岛状生长。     

多喷嘴液液引射器的试验与数值模拟研究

采用控制变量法,模拟研究了不同进出口压力等因素对多喷嘴液液引射器性能及增压效果的影响规律。结果表明,在引射泵组中,随着工作压力和引射压力增大,引射器的引射系数和引射流量都增大;而随着出口压力增大,引射器的引射系数和引射流量减小;引射器出口压力的增加对引射泵组中的泵前增压效果优于工作压力和引射压力;泵前压力随引射器进出口压力的增大而增大。试验在综合考虑泵的效率和增压效果后,采用30%回流率,引射泵组可提高1.59 m压头,与模拟结果 1.54 m吻合较好。