离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究

采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。     

竹粉／ABS塑料复合材料的性能研究

制备了一系列不同配比、添加不同润滑剂的竹粉／ABS复合材料,通过研究其力学性能,比较了石蜡和硬脂酸以及不同的竹粉含量等给拉伸强度、冲击强度和弯曲强度带来的影响,所有添加竹粉的复合材料的各项力学指标均比未添加竹粉的ABS树脂低,其随竹粉含量增加所呈现的变化规律因不同的润滑体系而不同,在等比例添加石蜡和硬脂酸的复合体系中,冲击强度与弯曲强度均随竹粉含量的增加而上升;用毛细管流变仪检测了各样品在185℃、200℃、215℃和230℃下的流变性能,结果表明,体系的剪切应力和表观粘度随温度的增加而降低,随竹粉含量的增加而渐大,仅添加硬脂酸的样品流动性能相对较好。     

Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.     

溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.     

Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.     

Ge／Si纳米多层膜的光致发红光研究

采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。     

溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

采用离子束溅射技术在不同Ar 能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar 能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar 能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.