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1.
采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量的SnO_2的陶瓷样品都形成了单一的钙钛矿结构;SEM图片显示,随着Sn O_2的加入,晶粒尺寸减小,晶粒尺寸分布更均匀;电学性能测试结果表明,SnO_2的加入明显改变了BNBTS陶瓷的电学性能,随着x的增大,Pr先增大后减小,在x=0.03时,Pr达到最大值36.5μC/cm~2,但x在0.01到0.03之间变化时,剩余极化强度Pr变化不明显,而矫顽场Ec则呈减小趋势;压电常数d_(33)随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时,达到最大值134μC/N;各样品具有典型铁电体所具有的"蝴蝶状"的双向应变曲线,随着SnO_2含量的增加,负向应变减小,正向应变变大。随着SnO_2的加入,BNBTS陶瓷的室温介电常数变大,并表现出弛豫特性,在x=0.03时BNBTS陶瓷室温下的介电常数达到最大值1143。 相似文献
2.
古城煤矿N1303综采工作面即将回采至停采线,现有巷道已无电气设备列车储存空间,为不影响回采进度及设备运输安全,对电气设备列车移动方案进行了探讨,并最终确定了电气列车转弯方案设计。 相似文献
3.
4.
在交替变更2-正丁氨基-4,6-二巯基均三嗪(硫化剂DB)和氧化镁用量的情况下,考察了二者配合硫化氯化丁基橡胶的硫化特性和物理机械性能,并进行了傅里叶变换红外光谱和热重的分析,探讨了其硫化机理。结果表明,硫化剂DB和氧化镁配合可以很好地硫化氯化丁基橡胶,做到“无锌硫化”。在氧化镁用量固定的情况下,1.0~1.5份(质量)的硫化剂DB用量比较合适;在该硫化体系中氧化镁能起到改善焦烧、延迟硫化的作用。该交联反应的特点在于烯丙基键合的氯原子参与反应,三嗪硫醇的巯基与烯丙基氯反应并脱出氯化氢,形成碳硫键交联网络,氧化镁作为酸受体参与硫化反应。 相似文献
5.
尼龙612的等温结晶动力学 总被引:1,自引:0,他引:1
用差示扫描量热(DSC)研究了尼龙612的等温结晶动力学.实验结果表明,在所研究的等温结晶温度范围内(184℃、186℃、188℃、190℃、192℃),尼龙612达到最大结晶速率时的时间、半结晶期和动力学结晶速率常数分别为:O.12min、0.19 min、0.22 min、0.29 min、0.59 min;0.1... 相似文献
6.
在均苯三甲酸的存在下,进行十二内酰胺的水解聚合,合成了四种不同臂长的三臂星型尼龙12,对产物的分子量进行了测定,并对其力学性能和流变行为进行了研究。结果表明,星型尼龙12的分子量随着均苯三甲酸含量的提高而降低,与相应分子量的线型尼龙12相比,星型尼龙12的拉伸强度和弯曲强度基本保持,冲击强度保持率在80%以上,断裂伸长... 相似文献
7.
以2,2,6,6-四丙酸环己酮为四官能团核心,进行己内酰胺的水解开环聚合,合成了四种不同臂长的四臂星型尼龙6,对产物的分子量进行了测定,并对其力学性能和流变行为进行了研究。结果表明,四臂星型尼龙6的分子量随着四丙酸环己酮含量的提高而降低,与相应分子量的线型尼龙6相比,星型尼龙6的拉伸强度和弯曲强度基本保持,冲击强度保持率在75%以上,断裂伸长率最大降低了15%,相对黏度降低了近25%,熔融指数提高了近4倍,平衡转矩降低了75%,表现出了较好的加工流动性。 相似文献
8.
用激光溅射-分子束技术研究了气相中Co等离子体与甲醇分子团簇的反应,观察到了Co+(CH3OH)n、Co+(H2O)(CH3OH)n、H+(CH3OH)n三个种类的团簇离子.实验表明随着激光脉冲能量的增加,Co+(CH3OH)n团簇的尺寸减小,当Co等离子体作用于甲醇分子束的中段时所得到的主要团簇离子Co+(CH3OH)n信号强度最大. 相似文献
9.
10.
(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3粉体的球磨时间对陶瓷显微结构与性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了(Bi<,0.5>Na<,0.5>)<,0.94>Ba<,0.06>TiO<,3>(BNBT6)陶瓷制备过程中球磨时间对BNBT6粉体和BN8T6陶瓷结构和性能的影响,研究发现:随球磨时间的延长,BNBT6粉体粒径小断减小,s/v不断增加,但变化幅度不断减小,球磨20h后的粉体粒度达到0.20μm,且粒度分布较窄.随球磨时问的延长,用相应粉体制得的BNBT6陶瓷电学性能都随球磨时间的增加先增大后减小,且球磨20h的粉体制得的BNBT6陶瓷压电性能最好,常温下其压电常数d<,33>达到145 pC/N,K<,p>达到0.305,Q<,m>达到160,介电常数达到1400,介电损耗为0.052(10kHz). 相似文献