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精确的一维光子晶体的带隙   总被引:1,自引:0,他引:1  
半导体材料的折射率是光频率的函数,所以在计算光子晶体的能带结构时必须考虑到色散关系。光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带。本文已GaAs基材料为例,利用传输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱,计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄,如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移,且光子损耗较小。  相似文献
2.
利用RF共溅射的方法,制备了SiC/SiO2多层膜,测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱,并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度,观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0.5mA)偏压后,发光峰有明显的蓝移和加强现象,通过测量PLE谱,认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。  相似文献
3.
该文采用有效折射率方法结算了考虑色散关系后的分布布拉格反射镜的反射率,计算结果表明,考虑色散与不考虑色散的差别是明显的,首先峰值带宽,考虑色散的实际峰值带宽没有不考虑色散的理论带宽宽。而且,考虑色散的实际的反射谱的下降速度慢。  相似文献
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