用于二次电子发射阴极的纳米金刚石膜

为获得导电性和二次电子发射性能均好的金刚石阴极材料,分别以CH4/Ar/H2、CH4/N2及CH4/N2/H2混合气体作为反应气源,用微波等离子化学气相沉积(MWPCVD)法制备出不同组成结构特点的纳米金刚石薄膜.XRD和Raman检测表明3种气源条件下得到的膜材均为金刚石多晶膜,但用CH4/N2反应源沉积的膜材中非金刚石相成分明显更多;AFM分析证实所有膜层的平均晶粒尺寸均在100nm以下,属纳米晶金刚石膜.用自行设计的二次电子发射系数测量装置对比检测所得膜层的二次电子发射特性,结果表明各金刚石膜均在初级入射电子能量达约1keV时,有最高的二次发射系数(δmax);并且以CH4/Ar/H2反应源制备的金刚石相纯度最高的膜材的δmax最大,达到17左右,是适用于二次电子发射阴极的潜在材料.  

聚甲基丙烯酸烷基磺酸盐—聚双吡啶分子复合物研究

高分子烷基磺酸盐与聚双吡啶在溶液中形成的大分子复合物具有很好的电化学稳定性。在三元溶剂中的最大溶解度为1.58g/ml;在—0.0v和—0.6v电压下分别显示无色和蓝紫色,响应时间为100ms。  

化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.  

氧化铝基体表面预处理对金刚石薄膜生长的影响

采用微波等离子体化学气相沉积方法,在经不同预处理的氧化铝衬底上沉积金刚石薄膜.用X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对所得薄膜的成分、物相纯度和表面形貌进行表征,比较不同的预处理方式对金刚石薄膜生长的影响.结果表明,基体表面经过熔融碱腐蚀后形成薄膜的膜基结合良好且膜材质量最佳,但表面平整度较低;而基体只经金刚石微粉乙醇悬浊液超声处理则在沉积时金刚石容易成膜,且结构要更为致密;在经过酸腐蚀的基体上沉积金刚石薄膜时,容易在薄膜与基体之间先形成过渡层,而后才进行金刚石薄膜的沉积.所得结果表明熔融碱腐蚀处理是获得电学应用氧化铝基金刚石薄膜复合材料的最适宜的基体表面预处理.  

海藻酸钡纤维的制备和性能研究

以海藻酸钠为原料,0.5mol/L氯化钡水溶液为凝固浴,通过湿法纺丝制备了海藻酸钡纤维.利用扫描电镜、红外光谱仪对制得的纤维进行了表征,并对纤维进行了单纤维拉伸测试和防辐射性能测试.研究表明,海藻酸钠在凝胶化过程中形成明显的螯合结构,海藻酸钡纤维的平均断裂强度20.69cN/tex,线密度为3.86dtex,与普通粘胶纤维相比海藻酸钡纤维有明显的防辐射性能.  

DS-UWB接收机双陷波器抑制窄带干扰研究

针对直接扩频序列超宽带(DS-UWB)通信系统中常见的窄带干扰问题, 提出了一种采用陷波技术的窄带干扰抑制新方法.理论分析表明,传统的只使用接收陷波器的窄带干扰抑制方法在滤出窄带干扰信号的同时,也导致了有用信号和模板信号相关函数峰值的损失,劣化了系统误码性能,而该方法同时对接收信号和模板信号进行相同的陷波处理可补偿这种损失,提高系统性能.对DS-UWB接收机的仿真结果表明,当信干比(SIR)为-20dB时,采用该方法后误码率(BER)曲线与没有干扰时的曲线基本重合;当Eb/n0=8dB时,对应BER＝1E-3,该方法较没有陷波器时抗窄带干扰能力提高了26dB;较只有接收陷波器时提高了17dB.以上结果说明该方法是DS-UWB接收机窄带干扰抑制的有效方法.  

粘弹性材料的动态力学测试分析技术研究进展

本文对国内外粘弹性材料动态力学性能表征研究进行了综述，就如何获得声频范围（特别是在静压力条件下）粘弹性材料的动态力学性能参数进行了总结，并对粘弹性材料动态力学性能表征的发展进行了展望。  

掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究

掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意.从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述.论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的.  

掺硼对超纳米金刚石薄膜的影响

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体,制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右,表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜;在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体,合成掺硼的金刚石薄膜.表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入,金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好,不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态;同时膜材的物相组成也发生改变,金刚石组份逐渐增多,并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能.  

基于异步替换的异步流水线设计

本文提出了异步替换的概念,即将同步流水线的控制通路和数据通路分离,然后将控制部分用异步结构实现,替换同步控制结构,以完成异步流水线的设计。本文首先提出并证明了基于寄存器的异步流水线结构能够获得与同步流水线相似的性能。一个用于异步替换的设计流程被提出,并被用于一款16位DSP的设计。结果显示,与同步结构相比约20%的性能获得了提升,这证明了异步替换的可行性。利用异步替换,可以充分利用同步流水线的丰富资源方便地设计异步流水线。