铌对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛压敏-电容性能的影响

研究了铌对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛压敏-电容性能的影响.研究中发现掺入0.10mol%Nb2O5的样品显示出最低的视在电场(EB=8.8V/mm)、最高的非线性常数(α=7.0)以及最高的相对介电常数(εr=7.6×104),与样品的晶界缺陷势垒特性、电容和电阻的频谱特性相一致.样品的性能变化可用Nb5+对Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释.  

掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响

研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响。研究中发现掺入 0 .2 5mol %Ta2 O5的样品显示出最低的反转电压 (Eb= 6V/mm)、最高的非线性常数 (α =8.8)以及最高的相对介电常数 (εr=6 .2× 10 4 ) ,与样品电容和电阻的频谱特性相一致。样品的性能变化可用Ta5+ 对Ti4 + 的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释  

Co2O3掺杂对SnO2 - MgO- Nb2 O5压敏材料性能的影响

研究了Ｃｏ２Ｏ３含量对ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的密度、非线性特性的影响。实验结果表明，Ｃｏ２Ｏ３不仅能够增大ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５材料的质量密度，而且能提高非线性系数，减小漏电流，在较大程度上提高了ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的性能。  

溶胶-凝胶法制备锰掺杂 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅陶瓷的压电特性

用溶胶-凝胶工艺制备了 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 + x wt% Mn (x=0- 0.4)系列无铅压电陶 瓷.研究发现适量锰的掺杂可以有效地降低材料的介电常数和介电损耗,同时提高材料的退极化 温度,但过量锰的掺杂使得材料的压电特性变差.当锰的掺杂量为 0.1wt%时,陶瓷具有该系列最 大的压电常数( d33=175× 10- 12C/N)、最大的机电耦合系数 kt=56%, kp=26%)、较小的介电损耗 tgδ =2.7%,较高的退极化温度( Td=82℃).  

0.08Pb(Fe1/3Sb2/3)O3-yPbTiO3-(1-0.08-y)PbZrO3压电陶瓷性能研究

合成了钙钛矿结构的0.08Pb(Fe1/3 Sb2/3)O3-yPb-TiO3-(1-0.08-y)PbZrO3三元系压电陶瓷材料,测量并计算了不同y值时的压电常数(d33)、机电耦合系数kp、k33)、机械品质因数(Qm)以及极化前后的介电常数(εT33/ε0),对实验现象进行了简单的讨论,得出一些有益的结论;实验结果表明当选取合适的y值时可以获得压电性能良好的压电材料,如y=0.45时材料的平面机电耦合系数kp、纵向机电耦合系数k33和压电常数d33分别达到0.64×10-12C/N、0.72×10-12C/N和365×10-12C/N.  

溶胶-凝胶法制备(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3陶瓷的性能

测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)1- xBaxTiO3(x=0,0.02,0.04,0.06)系无铅 压电陶瓷的介电、压电和弹性参数.研究发现,该工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷具有 此系列最强的压电性能, 与传统工艺制备的该类压电陶瓷相比, 溶胶-凝胶工艺制备的 (Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷具有压电常数( d33=173× 10- 12C/N)、机电耦合系数( kt=56%, kp= 26%)、泊松比(ν =0.3)提高; 频率常数( Nt=2250Hz· m, Np=2810Hz· m)、退极化温度( Td= 75℃)降低以及介电常数(εTr33=820)、介电损耗( tgδ=3.9%)稍大的特点.  

Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.  

压电振子参数与其电纳值关系的研究

本文从理论上分析了由于Ｒ０的存在及国心随频率的位移所引起的压电振子参数导纳圆圈法的测量误差，导出了仅由振子最大最小电纳值及其对应频率来测定其参数的有关公式。并用该方法测定了石英振子和压电陶瓷振子的等效电路参数以及钽酸锂（ＬｉＴａＯ３）晶体的有关弹性常数、压电常数及机电耦合系数。  

离子注入在声表面波器件上的应用

本文以 Ｈｅ＋注入 ＬｉＮｂＯ３晶体表面为例，给出了表面波相违随注入离子剂量和注入离子能量的变化关系曲线，并介绍了离子束注入在声表面波器件上的一些应用。  

旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.