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1.
(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型  相似文献   
2.
为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。  相似文献   
3.
研究了Cd对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97.65%SnO2 O.75%Co2O3 0.10%Nb2O5 1.50%CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22.2)和最高的势垒(ψB=0.761eV).当CdO的摩尔分数从0增加到3%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V/mm增大到556V/mm,1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。  相似文献   
4.
采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉末的多晶XRD数据。  相似文献   
5.
6.
高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制   总被引:1,自引:2,他引:1  
用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。  相似文献   
7.
CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应   总被引:2,自引:2,他引:2  
研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。  相似文献   
8.
(yxl)φ切压电石英谐振器振动模式分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
从压电方程,动力学方程入手,分析了(yxl)φ切石英谐振器的厚度切变振动,利用自由边界条件及串联与并联谐振时的电学条件,求出了并联谐振频率和串联振频率,讨论了实测频率与频率公式存在一定偏差的原因。  相似文献   
9.
SnO_2压敏材料势垒电压的测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。  相似文献   
10.
对一种新的压敏材料SnO2-MgO-Nb2O5陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为140 ̄600,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到6.3。  相似文献   
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