射频溅射ZnO压电薄膜择优取向度和离散因子的X射线测定法

性能优良的ZnO压电薄膜要求其多晶聚集体晶粒的c轴取向度高、离散角小、平均c轴偏差角小等。本文指出现行文献中这些参数测定方法和概念的不当之处,并提出ZnO压电薄膜若干重要的晶体结构评价参数(择优取向度f和比取向度f_εd)、离散角δ和离散度△,平均c轴偏差角γ及方位、晶粒度D、残余应力σ)的X射线测定方法。     

LiNdP_4O_(12)X射线衍射数据的测定

用衍射仪和Guinier聚焦照相机收集了LiNdP_4O_(12)的X射线粉末衍射图谱(CuK_α),给出了d值大于1.240A的所有75条衍射线的衍射数据和指标。LiNdP_4O_(12)属单斜晶系,空间群C2/c;点阵指数为α=16.487A,b=7.043A,c=9.754A,β=126.46°;单位晶胞分子数Z=4;X射线理论密度D_X=3.40g/cm~3。     

ZrO_2陶瓷结构变体的应力相变和X射线定量相分析

本文用X射线衍射方法研究了部分稳定ZrO_2陶瓷材料中的物相组成,发现了一种新的ZrO_2变体:畸变亚稳立方相(G相)。热压ZrO_2陶瓷应力诱导相变是从G相转变为单斜相。提出了对ZrO_2陶瓷变体进行X射线无标样定量相分析的新方法。对两种系列的ZrO_2陶瓷进行了定量相分析。对实验结果进行了讨论。     

PNC—3型偏铌酸铅压电陶瓷高温性能的研究

(一) 偏铌酸铅压电陶瓷有着一些突出的特点,如低的Qm值(Qm<10)、单一的振动模式(Kt>>Kr)和较高的居里温度(Tc=570 C),在工业检测、医疗诊断与高温传感器方面有着十分广阔的应用前景。但是纯的偏铌酸铅,因高温铁电相在常温下是很不稳定的,因而要制备出具有压电性良好的偏铌酸铅压电陶瓷是比较困难的。为了制得可应用的偏铌酸铅压电陶瓷,大多采用Ba置换与添杂的方法来现实。Ba的置换能大大地提高材料的压电性能,但压电性能的稳定性随着Ba置换量的增加而急剧变坏。虽然以往曾有过一些改性偏铌酸铅陶瓷料材在使用,但工艺性差,不能制作稍大一…