耗尽型脉冲神经P系统的矩阵表示及GPU实现

各类P系统并行计算的实现是膜计算的一个研究热点。针对耗尽型脉冲神经P系统,提出了其并行计算的矩阵表示,并以此为基础研究了耗尽型脉冲神经P系统的GPU实现。仿真实验分析了耗尽型脉冲神经P系统的并行计算在GPU上的加速性能,在10次实验中,GPU对CPU的平均加速比为1.4。     

秦皇岛经济技术开发区发展策略研究

国家级经济技术开发区在对外开放、吸引外资、引进技术方面,发挥了巨大的作用,成为中国引进外来资金和先进技术的最重要的地区。秦皇岛经济技术开发区发展对秦皇岛乃至河北省发挥的作用不可小觑,所以对秦皇岛经济技术开发区的发展方向及发展过程中所面临的问题进行研究很有必要。本文想利用SWOT分析方法分析秦皇岛开发区的实际情况,并就存在的问题提出了一些自己的观点。     

对我国房地产业需求与土地管理的政策建议

房地产业在发展过程中出现了投资过热,开发商囤地等现象。针对这种现象本文从政府的角度提出可行性建议。从非理性需求方面分析市场消费的情况,并提出运用财政、税收、行政、法律等各种手段,对房地产的需求进行细致调控,全面疏理需求。而对土地制度的建议,从资格准入上限制开发商,是市场向多元化发展。     

氟化PVA-SiO2薄膜单面疏水性的研究与表征

目的 研究开发一种具有单面疏水性能的聚乙烯醇薄膜材料作为包装材料。方法 将质量分数为12%、醇解度为88%的PVA溶液与质量分数为5%的纳米SiO2溶液按体积比为1∶1混合并加热搅拌,通过流延干燥的方式制备PVA-SiO2薄膜。然后分别用体积分数为2.5%,5%,7.5%的十七氟癸基三甲氧基硅烷（FAS）-乙醇溶液以浸泡方式修饰薄膜的其中一面,并通过溶解性测试、接触角测试、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、傅里叶变换衰减全反射红外光谱测试（ATR-FTIR）等方法表征改性结果。结果 结果表明薄膜单面疏水性得到改善,改性后的薄膜在水中的溶解时间增加,且接触角均在120°以上,表明FAS起到了降低表面能的作用;FE-SEM结果显示,Si元素含量对薄膜的疏水性能有着重要影响;ATR-FTIR显示,FAS改性成功将氟原子引入到薄膜表面,且增加了硅原子的数量。其中用质量分数为5%的FAS-乙醇溶液修饰后的薄膜疏水性最好,接触角达到了126.21°。结论 与未改性薄膜相比,经FAS单面疏水改性的PVA-SiO2薄膜疏水性能得到大大提高,拓宽了PVA薄膜材料的应用领域。