用弯曲模型推导二组元复合材料杨氏模量新公式

用弯曲模型推导了适用于悬丝耦合弯曲共振法检测金属第二组元的杨氏模量的理论公式。通过实验数据计算。结果表明在两组元h2/h1≈1时与文献[2]的计算结果几乎接近，为用悬丝耦合弯曲共振法检测各种减振材料，陶瓷材料杨氏模量提供了理论公式；同时用改进后的弯曲模型推导出了适用于纤维复合材料横向杨氏模量的预测公式。     

MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响

为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13     

Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell

In order to investigate the effects of a back surface field（BSF） on the performance of a p-doped amorphous silicon（p-a-Si：H）/n-doped crystalline silicon（n-c-Si） solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H structure was designed.An n^＋-a-Si：H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states.     

用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究

用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响.结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料.     

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响

采用MW-ECR CVD方法制备的a-SiH薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.     

脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650℃时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。     

一种用于彩色胆甾相液晶显示的驱动电路

设计了一种用于彩色胆甾相液晶显示的驱动电路。电路根据P态刷新法和累计驱动法的驱动原理,实现了显示的多级灰度和彩色化,且利用了现有的商业液晶行列驱动芯片,因此具有结构简单,成本较低,易于实施等特点。     

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度.本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为,发现随氢氟酸溶液浓度的增加阳极溶解速率也随之增加.当氢氟酸浓度为4％及6％时,可得到平整的表面.电化学抛光技术为制备光亮硅面提供了一种简单可行的方法.     

电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究

采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.     

新一代浮法玻璃在线缺陷检测设备及其应用

介绍了浮法玻璃缺陷检测新设备,阐述了检测系统在实际生产中的作用。