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1.
光学玻璃、工程陶瓷以及硅基材料等硬脆材料因其良好的物理性质和化学性质而广泛应用于光学工程及集成电路等高尖端技术领域,但低塑性、高脆性的物理特性会导致其切片在切割过程中易出现效率低和表面质量较差等问题。为提高切片表面质量,建立了金刚石线锯切割过程中线锯速度与切割力的模型,设计最小方差自校正控制器对切割力进行在线实时控制。实验结果表明:所设计的最小方差自校正器能够降低线锯切割系统中切片所受的切割力波动,使切割力趋于稳定;与定参数切割条件下所得的切片进行比较,采用最小方差自校正控制策略切割完成的工件表面形貌较为平整,表面粗糙度值降低约30%. 相似文献
2.
现有钢筋混凝土梁柱节点的剪切变形计算模型包含两个基本假定,即矩形的节点核心区发生剪切变形后变为平行四边形,以及4个角点沿矩形原对角线伸长或缩短,且对角线不转动。基于ABAQUS有限元软件,以多组钢筋混凝土梁柱组合体试验结果为依据,对有限元模型的合理性进行了校核,并在此基础上对单调加载和反复加载下钢筋混凝土中间层中节点的受力性能进行了模拟。提取了变形后节点核心区4个角点的坐标数列,根据几何关系直接计算了节点剪切变形,并将其与试验实测结果进行了对比,验证了节点剪切变形计算模型基本假定的合理性。分析结果表明,计算模型采用的平行四边形假定是合理的,但对角线不转动假定存在一定误差。节点对角线转动角度将影响梁端、柱端方向的节点剪切角的计算精度,建议对现有节点剪切变形计算公式进行修正。 相似文献
3.
Single event multiple-cell upsets (MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on the buildup of MCU test data acquiring and processing technique, including the heavy ion LET, the tilt angle, the device orientation, the test pattern and the supply voltage; the MCU physical bitmaps are extracted correspondingly. The dependencies of parameters such as the MCU percentage, MCU mean and topological pattern on these factors are summarized and analyzed. This work is meaningful for developing a more reasonable single event test method and assessing the effectiveness of anti-MCU strategies on nanometer-scale devices. 相似文献
4.
通过分析墨西哥湾盆地油气资源勘探现状、油气地质特征,及与油气成藏密切相关的盐岩形成、演化和分布特征,进一步认识到墨西哥湾盆地上侏罗统牛津阶—第四系更新统发育了4套优质烃源岩和多套性能优越的储集层,封堵性能良好的局部和区域盖层遍布整个新生界层系,断层提供了运移通道,构造和地层圈闭发育,具有优越的生储盖等油气成藏条件。盆内中侏罗统发育一套广泛分布的厚层盐岩,很多大型油气藏均与该盐岩相关。盐上和盐下储层中均有可观的油气发现,随着油气勘探理论和技术的进步,盐下油气藏的潜力逐渐显现出来,勘探潜力很大。 相似文献
5.
6.
7.
工业场地选址在煤矿项目建设中越发重要,本文根据准东西黑山矿区将军戈壁一号露天矿实际,采用比较的方法最终确定选址方案。通过科学论证,方案一可以有效地降低投资成本,符合城乡规划、生态环境等各方面的要求。 相似文献
8.
铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面。对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系。本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转。 相似文献
9.
10.
本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验。试验结果表明:单粒子效应会导致PWM输出信号的脉冲丢失和占空比改变,脉冲丢失时间和占空比改变的持续时间有时可达数ms;UC1825AJ型PWM的单粒子效应LET阈值约为4.4MeV·cm2·mg-1,UC1845AJ型PWM的抗单粒子性能受工艺批次的影响较大。 相似文献