排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
在X射线衍射仪上收集了Bi_4(SiO_4)_3的衍射数据;利用Rietveld方法对衍射数据进行指标化,F_(30)=158.90;确定了Bi_4(SiO_4)_3的晶体结构参数。结果发现:该结构中硅氧四面体是变形的孤立四面体,其中两个O-Si-O键角为107.13°,而另两个为114.26°,详细报道了晶体结构,给出了晶体结构图;提出Bi离子最外层孤对的6s2电子的存在是形成这种变形配位多面体的原因。 相似文献
4.
本文提出了用一个标样进行系列试样 X 射线定量相分析的方法.它克服了一般 X 射线定量方法需要混合研磨和手续烦复的缺点以及无标样 X 射线定量方法存在病态方程不易解决的问题.该方法对常规 X 射线定量分析具有普遍的实用性. 相似文献
5.
点阵常数是多晶材料的重要物理参数之一,陶瓷材料多数属非立方晶系化合物,研究低对称晶系点阵常数的测定方法和提高精度的途径对材料研究有重要的意义,本文提出了联立方程法、联立方程外推法、最小二乘法、最小二乘外推法、线对法、线对最小二乘法等六种测定方法和稳定性判 法、抛弃 平均法、最小二乘判法等三种数据处理方法及其适用条件、用本文的测定低对称晶系多晶材料点阵常数的方法可以得到较精确可靠的结果。 相似文献
6.
7.
射频溅射ZnO压电薄膜择优取向度和离散因子的X射线测定法 总被引:1,自引:0,他引:1
性能优良的ZnO压电薄膜要求其多晶聚集体晶粒的c轴取向度高、离散角小、平均c轴偏差角小等。本文指出现行文献中这些参数测定方法和概念的不当之处,并提出ZnO压电薄膜若干重要的晶体结构评价参数(择优取向度f和比取向度f_εd)、离散角δ和离散度△,平均c轴偏差角γ及方位、晶粒度D、残余应力σ)的X射线测定方法。 相似文献
8.
9.
10.
多晶材料X射线衍射无标样定量方法 总被引:5,自引:0,他引:5
X射线物相定量的结果对多晶样品的结构和织构十分敏感.一般的X射线定量方法都需要在样品中添加标样并均匀混合研磨,因而容易引起很大的误差.近年来,无标样X射线定量方法得到了很大的发展.无标样定量方法克服了一般有标样X射线定量方法需要混合研磨和手续烦复的缺点.本文总结了三类x射线衍射无标样定量方法:理论参数计算法、全谱图拟合法以及联立方程法.给出了提高各种无标样法定量精度和可靠性的方法. 相似文献