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采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验, 利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测, 根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种, 对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究。使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合, 并利用相关系数检验拟合函数可靠性, 结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性。同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势, 结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右。基于脆塑转变临界载荷, 以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志, 首次结合工件已加工表面弹性回复, 提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型, 其脆塑转变临界深度为489 nm。 相似文献
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基于高工作温度探测器的热成像系统的典型特征是体积小、重量轻、功耗低,其性能在降低成本的同时与低温制冷型热成像系统的性能相当,有着重要的应用价值和批量生产的前景。本文介绍势垒型探测器的结构特点,阐述构建势垒型探测器的材料结构类型与其对系统性能的影响,总结其他相关技术实现的高温探测器。最后对势垒型探测器目前的研究进展进行归纳,提出了几个高温探测器技术未来的研究方向。 相似文献
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