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1.
10kg TNT当量爆炸容器的冲击振动监测   总被引:10,自引:4,他引:6  
采用电压加速度计及精密电荷放大器,对10kg TNT 当量爆炸容器系统在五种TNT当量加载下的冲击振动进行了四点比较测试.试验结果表明容器壳体在爆炸加载时的冲击加速度可高达7.75×104g,通过容器支座和柱形空心钢管支撑结构衰减后,振动加速度下降到57g,再经过实验工房地基的进一步衰减,工房墙体附近地面的垂直振动仅0.43g,这说明实验工房所承受的爆破地震烈度不超过Ⅱ级.  相似文献
2.
球形爆炸容器动力响应的强度分析   总被引:9,自引:1,他引:8  
胡八一  柏劲松  张明  成伟 《工程力学》2001,18(4):136-139
运用DYTRAN程序中的欧拉计算方法,模拟了作用于球形爆炸容器内壁的反射超压波形。运用解析法和三维有限元程序LS-DYNA,对容器壳体在反射超压作用下的动力响应进行了强度分析,给出了容器的几个特征点的等效应力历史和重要区域的等效应力云图。分析结果对类似爆炸容器的强度设计和安全使用具有参考意义。  相似文献
3.
用于电子束参数测量的高速分幅相机   总被引:8,自引:0,他引:8  
具有时间分辨能力的高能强流电子束束流参数测量需要高速的分幅相机,其幅间间隔时间要求达到10ns的水平,每幅曝光时间不大于5ns。针对这种难度较大的应用要求,结合快速电子技术、图像增强技术、光学分光技术等多门学科的成果,成功研制了一台可用于高能强流电子束束流参数的时间分辨测量的高速分幅相机,图像幅间间隔时间最快到达10ns,最小的曝光时间为3ns,一次可以拍摄8幅图像,图像分辨率为1376×1035,标准幅面可以达到Φ80mm,完全满足了目前的测量要求。  相似文献
4.
低密度多孔介质的缓冲和减振   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文对低密度多孔介质缓冲吸能特性的三种评估方法进行了分析,进而提出了评估其减振特性的刚度曲线方法,并以泡沫硅橡胶为例,具体阐述了上述评估方法在合理选材、优化设计中的应用。  相似文献
5.
泡沫硅橡胶动态力学性能的实验研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
泡沫硅橡胶在缓冲减振方面有独特的优良性能,但由于它是一种柔性材料,波速和波阻抗均极低,因此实验研究其动态力学性能具有很大困难,本文首次实现了利用霍普金森压杆技术对泡沫硅橡胶作冲击压缩实验,得到了高应变率下的应力 ̄应变曲线,结果表明,该材料具有强烈的应变率敏感性。  相似文献
6.
立方氮化硅的冲击波合成实验研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
以α-Si3N4粉体作原材料,采用炸药爆轰平面飞片加载装置和样品回收技术进行了冲击波合成实验,完整回收到合成样品,经过酸处理,对回收样品进行X射线衍射分析,结果表明:当加载压力超过50GPa而且冲击温度约3600-5000K时,α-Si3N4可以较完全地转化为γ-Si3N4.本实验的研究结果建立了一种冲击压缩技术可单次合成克量级的立方氮化硅,为进一步开展立方氮化硅的性能研究奠定了基础.  相似文献
7.
脉冲载荷下球形爆炸容器的弹性响应   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用薄膜理论建立了球形爆炸容器的运动方程,运用DYTRAN三维编码模拟了作用于容器内壁的反射超压波形,比较了球形爆炸容器在三种简化脉冲载荷和模拟真实爆炸载荷作用下的弹性响应差异,分析了脉冲载荷持续时间对容器响应的影响,提出了爆炸容器工程设计应注意的几个问题。  相似文献
8.
闪光CCD图像的中值-非线性扩散滤波   总被引:3,自引:0,他引:3  
根据闪光CCD图像的特点,提出了一种中值-非线性扩散滤波(Median-NonlinearDiffusionFiltering,简称MNDF)方法。该方法采用中值预滤波来估计图像的真实边缘,通过求解偏微分方程(PartialDifferentialEquation,简称PDE)来进行非线性扩散滤波,充分发挥了中值滤波和非线性扩散滤波的优势,能更好地消除噪声、保护边缘。实验结果表明,在高斯噪声和脉冲噪声同时存在的情况下,MNDF方法取得的滤波效果较P-M方案和Catte方案要好,信噪比改善因子提高3~5倍,均方误差减小1.3~2.7倍。对闪光照相CCD图像取得了很好的消噪声结果,保护了边缘信息。  相似文献
9.
利用冲击波技术制备TiO2纳米晶   总被引:3,自引:0,他引:3  
以钛酸丁脂为原料,将溶胶-凝胶法与冲击波加载手段结合能制备出粒度均匀、晶粒小于50 nm的纳米TiO2.冲击波作用的瞬时性能有效地抑制晶粒的生长.冲击压力对粉体的晶粒度有一定影响,冲击压力增大将导致冲击温度升高,过高的冲击温度会造成晶粒长大.为了获得尺寸细小的纳米晶粒粉体,应在保证凝胶分解的前提下,降低冲击压力.  相似文献
10.
在气炮加载条件下,分别测试了两种晶粒度的PZT95/5铁电陶瓷样品在冲击波作用下的击穿电压,并采用Weibull分布分析了所获得数据.结果表明,PZT95/5铁电陶瓷在冲击波作用下的击穿电压分布可以用二参数Weibull分布模型描述,从击穿电压密度分布函数和失效率函数来看,晶粒度为2.5μm的PZT95/5样品的击穿电压分布优于晶粒度为7μm的PZT95/5样品击穿电压分布.  相似文献
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