低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用

多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体，在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温（＜600℃）制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用，着重讨论用等离子体化学气相沉积（PECVD）硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。  

SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。  

高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究

在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。  

等离子体的Langmuir探针诊断及数值滤波

Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是诊断等离子体荷粒子参数的重要手段。本文首次报道了用加热的调谐探针，在抑制了对探针的射频干扰和“中毒效应”之后，对探针Ｉ－Ｖ曲线的统计涨落噪声进行了数字滤波的光滑化处理，获得了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数，平均能量和浓度等重要参数。  

Ca2SnO4:Eu3+的固相反应形成机理及发光性质研究

利用高温固相反应法合成了Ca2-xEuxSnO4发光粉末样品，采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究．对于CaCO3和SNO2（2：1）混合粉料，在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO3，该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca2SnO4．Ca2-xEuxSnO4样品在240-360nm范围内存在着Eu^3＋-O^2-电荷迁移吸收带，随着Eu^3＋掺杂浓度（x=0．01-0．15）的增加，吸收带峰位从274nm红移至292nm附近．Ca2SnO4：Eu^3＋发光体的发射以电偶极跃迁^2Do-^7F2为主导地位，在紫外光激发下产生强的红光发射．在Ca2SnO4基质中，Eu^3＋离子的多声子弛豫过程几率小，当Eu^3＋掺杂浓度较低时，可以观察到来自于Eu^3＋较高激发态能级^5D2和^5D1上的辐射跃迁．Eu^3＋离子在同构的Ca2SnO4和Sr2CeO4基质中的发射光谱形状类似，但Ca2SnO4：Eu^3＋的红光发射强度远大于Sr2CeO4：Eu^3＋．  

弹性安装条件下机器结构声功率流的预测

本文利用机器的自由源速度 ,水泥地板导纳和隔振支架的劲度系数预测了垂直方向平动自由度和两个水平方向转动自由度的结构声功率流。不同自由度间和大小不同地板间的结构声功率流进行了比较  

纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。  

机器的高频力矩激励

本文介绍新研制的一种小型力矩激励器，它能工作高至１０ｋＨｚ 的较宽频率区域内，为转动自由度结构声高频特性研究提供了有效方法。  

楼宇设备工程中结构声功率预测的平均特征值法

机器透过安装点进入到支撑结构的总功率是反映结构噪声的重要物理量。导纳方法提供正确预测该值的途径,但这种方法涉及到太多的物理量,缺乏实用性。寻找简便的近似预测方法有着重要的意义。本文以特征值理论为基础,针对楼宇设备工程中源导纳远大于地板导纳的场合,给出简便的近似预测公式。以典型风机为例,将本文的方法与其他的较复杂近似预测方法比较。结果表明,本文所给出的简便方法与精确值的误差约为4dB,比其它近似方法具有更好的预测准确度。  

导纳矩阵元素统计分布特性的研究

导纳矩阵是描述结构噪声源的常用基本参量之一,研究导纳矩阵元素之间的统计分布特性有助于结构声源的简化描述。对两个不同风机导纳矩阵元素的统计分布特性进行了分析研究,结果表明,矩阵元素的大小具有近似服从对数正态分布的特性,这为导纳矩阵的实际应用提供了一种有效的简化分析工具。