基于光干涉原理的液晶空盒盒厚测量

液晶空盒厚决定了液晶盒中液晶层的厚度,对整个液晶显示器件的光电特性、底色及响应速度等有很大的影响。因此,如何准确地测量空盒盒厚具有实际的应用价值;本文从光干涉原理出发,推导出测量液晶空盒盒厚的简单而准确的方法,此方法适用于各种排列及任意扭曲角的液昌空盒,具有误差小、设备简单、操作简便等特点,充分满足了液晶显示器件生产厂家进行盒厚过程监控和优化年设计的需要。     

液晶光阀的双稳态特性研究

测量了TB3639型液晶光阀在电压驱动下的光谱特性及其光学双稳态特性,并讨论其产生光学双稳态特性的非线性效应物理机制,分析了液晶光阀的光学双稳态特性不明显的原因.分析结果表明,扭曲角对液晶光阀的光学双稳态特性影响较大,由于TN型液晶光阀的扭曲角只有90°,导致其双稳态特性不是很明显,TB3639型液晶光阀在某一电压范围内存在光学双稳态特性.     

圆柱盒型窗两端矩形波导位置偏差对传输性能的影响分析

采用三维电磁场模拟软件ISFEL3D计算分析了圆柱盒型窗在加工制作过程中,几种可能出现的两端矩形波导位置偏差对输出窗传输特性的影响,给出了驻波比随偏差量的数值关系曲线,并重点研究了哪些偏差有可能导致圆柱盒型窗中产生鬼模振荡。结果表明:两端矩形波导位置偏差对圆柱盒型窗驻波比的影响都不是很严重,但是若一端矩形波导位置沿垂直于宽边方向偏移或偏转一定角度时,有可能激发圆柱盒型窗中的鬼模振荡,从而对输出窗以至整个大功率微波系统造成严重危害。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

LCD制程中热处理对ITO膜电学和光学性质的影响

研究了不同方块电阻值及不同生产厂家的ITO玻璃在LCD生产制程中受热处理(主要是PI固化和热压过程)后，其ITO膜方块电阻和透过率的变化情况及其原因分析，为液晶显示器设计中ITO玻璃的选取提供了参考和依据。     

速调管截止波导滤波器型输出回路研究

对截止波导的滤波特性以及截止波导与TM010模单间隙腔耦合进行了深入研究,在这基础上设计出一个相对带宽5.6%的圆柱重入式单间隙腔加载截止波导滤波器型的L波段宽带速调管输出回路,并总结了截止波导段的长度和金属销钉的位置对输出腔间隙阻抗的影响规律.     

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.     

SnO_2∶Sb电热膜的自限温特性

本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２∶Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性,并分析了该特性对电热膜寿命的影响。     

射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133～266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3～104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.     

CeO2：Sm^3＋荧光粉的发光特性研究

采用高温固相反应法制备了不同浓度Sm^3＋掺杂的CeO2荧光粉，样品粉末在紫外激发下发出明亮的橙红色光。利用X射线衍射（XRD）和光致荧光光谱（PL）对样品进行了表征，结果表明样品在掺杂浓度小于4mol％时，Sm^3＋离子完全替代Ce^4＋离子进入基质CeO2的晶格而形成Ce1-xSmxO2固溶体。PL谱表明Sm^3＋的发射峰强度最初随Sm^3＋掺杂浓度提高而迅速增强，在Sm^3＋掺杂浓度为1mol％达到极大，随后出现浓度猝灭。