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高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究 总被引:8,自引:7,他引:1
在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。 相似文献
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等离子体的Langmuir探针诊断及数值滤波 总被引:5,自引:0,他引:5
Langmuir探针是诊断等离子体荷粒子参数的重要手段。本文首次报道了用加热的调谐探针,在抑制了对探针的射频干扰和“中毒效应”之后,对探针I-V曲线的统计涨落噪声进行了数字滤波的光滑化处理,获得了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数,平均能量和浓度等重要参数。 相似文献
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利用高温固相反应法合成了Ca2-xEuxSnO4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO3和SNO2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca2SnO4.Ca2-xEuxSnO4样品在240-360nm范围内存在着Eu^3+-O^2-电荷迁移吸收带,随着Eu^3+掺杂浓度(x=0.01-0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca2SnO4:Eu^3+发光体的发射以电偶极跃迁^2Do-^7F2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca2SnO4基质中,Eu^3+离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^3+掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^3+较高激发态能级^5D2和^5D1上的辐射跃迁.Eu^3+离子在同构的Ca2SnO4和Sr2CeO4基质中的发射光谱形状类似,但Ca2SnO4:Eu^3+的红光发射强度远大于Sr2CeO4:Eu^3+. 相似文献
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弹性安装条件下机器结构声功率流的预测 总被引:4,自引:0,他引:4
本文利用机器的自由源速度 ,水泥地板导纳和隔振支架的劲度系数预测了垂直方向平动自由度和两个水平方向转动自由度的结构声功率流。不同自由度间和大小不同地板间的结构声功率流进行了比较 相似文献
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纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究 总被引:3,自引:1,他引:2
用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜,经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒,室温下能发出可见光。实验表明,高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在SiO2的无序网络中,其晶粒尺寸减少,而发光强度增强,发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明,发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的SiO2层的发光中心。 相似文献
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楼宇设备工程中结构声功率预测的平均特征值法 总被引:2,自引:2,他引:0
机器透过安装点进入到支撑结构的总功率是反映结构噪声的重要物理量。导纳方法提供正确预测该值的途径,但这种方法涉及到太多的物理量,缺乏实用性。寻找简便的近似预测方法有着重要的意义。本文以特征值理论为基础,针对楼宇设备工程中源导纳远大于地板导纳的场合,给出简便的近似预测公式。以典型风机为例,将本文的方法与其他的较复杂近似预测方法比较。结果表明,本文所给出的简便方法与精确值的误差约为4dB,比其它近似方法具有更好的预测准确度。 相似文献
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导纳矩阵元素统计分布特性的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
导纳矩阵是描述结构噪声源的常用基本参量之一,研究导纳矩阵元素之间的统计分布特性有助于结构声源的简化描述。对两个不同风机导纳矩阵元素的统计分布特性进行了分析研究,结果表明,矩阵元素的大小具有近似服从对数正态分布的特性,这为导纳矩阵的实际应用提供了一种有效的简化分析工具。 相似文献