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1.
基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种可适用于背板与芯片互连的10 Gbit/s低功耗发射机。该发射机由半率前馈均衡器、时钟信号接收电路和源串联终端(SST)驱动器组成。前馈均衡器采用半率结构,以降低发射端的时钟信号频率。通过对发射端信号进行预加重,消除了码间干扰的影响。改进了SST驱动器的输出阻抗校准电路,解决了输出阻抗在不同工艺角下的波动问题。在相同输出摆幅下,SST电压模式驱动器的功耗为传统电流模式(CML)驱动器的1/4。结果表明,发射机的数据率为10 Gbit/s,传输信道在5 GHz Nyquist频率处的衰减为14.2 dB。在1.1 V电源电压下,传输信道输出信号的眼高为147 mV,眼宽为79 ps。发射机的总功耗为20.6 mW。 相似文献
2.
基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种用于背板互连的10 Gbit/s I/O接口电路。该接口电路由前馈均衡器(FFE)、接收机前端放大器和判决反馈均衡器(DFE)组成。FFE对发射端信号进行预加重,DFE消除较大的残余码间干扰。重点分析了FFE和DFE在消除码间干扰时存在的问题。使用改进的FFE减少对发射端信号的衰减,保证信号到达接收端时具有较大幅度,实现接收机对信号的正确判决,降低系统的误码率。测试结果表明,系统数据率为10 Gbit/s,传输信道在Nyquist频率(即5 GHz)处的衰减为22.4 dB。在1.1 V电源电压下,判决器Slicer输入端信号眼图的眼高为198 mV,眼宽为83 ps。FFE的功耗为31 mW,接收机前端放大器的功耗为1.8 mW,DFE的功耗为5.4 mW。 相似文献
3.
4.
针对常规分立双积分AD只能处理单端信号的问题,给出了一种输入和基准电压均支持差分信号的分立差分双积分AD;在热电阻测量中,把热电阻和基准电阻串联同一回路,以基准电阻压降作为基准,对热电阻的压降进行测量,并从软硬件两个方面对常见的误差因素进行对消处理;实验表明,该电路用于PT100测温时,跳字不超过0.1℃,精度可以达到±0.1℃,且对运放型号无特殊要求,是一种低成本、高精度的温度测量方案. 相似文献
5.
一种新型超宽带单极子缝隙天线设计与仿真 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种新型超宽带单极子缝隙天线,该天线包含一个类似于单极子天线的缝隙和叉状共面波导馈电结构,蚀刻在FR4-PCB板上,尺寸为26 mm×26 mm×1.4 mm。该天线采用HFSS13.0软件进行仿真,并对天线模型参数进行优化。结果表明:该天线具有良好的阻抗匹配和方向图特性,频带宽度为2.53~19.30 GHz(S11≤–10 d B),相对带宽达到154%,满足超宽带天线要求。 相似文献
6.
7.
8.
9.
基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力.以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构.通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力.仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法. 相似文献
10.