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1.
为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4%,11.3%,10.4%和11.6%.  相似文献   
2.
加氢反应器制造技术的新进展   总被引:2,自引:1,他引:1  
随着加氢装置的大型化,对加氢反应器的设计、主体材质的选用及制造均提出了新的、更高的要求。文章较全面地介绍了国内外加氢反应器的设计准则、主体材质(抗氢钢)和制造技术等方面的新进展。  相似文献   
3.
迷宫螺旋泵和密封工作特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了一种实测迷宫螺旋泵和密封工作特性的实验方法,通过该方法可以测得迷宫螺旋泵的泵送特性曲线、迷宫螺旋端面组合密封的最大密封压力以及端面开启的开始转速,具有一定的实用价值。  相似文献   
4.
VLSI全定制版图分级LVS验证的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在VLSI芯片的全定制版图设计中,LVS验证日益复杂繁琐,本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件,并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS,简称HLVS)验证,这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中,提高了版图LVS验证的效率。  相似文献   
5.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
6.
加快塑料技术中心建设提高新产品开发水平   总被引:2,自引:2,他引:0  
对中国石油化工集团公司(简称中国石化)合成树脂生产及加工应用技术的现状进行了分析,指出中国石化应加快建设塑料加工应用技术中心,为塑料产品的加工用户提供高技术水平和快捷周到的技术服务,在合成树脂新产品开发和产品结构调整中发挥积极作用,以提高合成树脂产品的市场竞争力。  相似文献   
7.
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性.  相似文献   
8.
岩石物理横波速度曲线计算技术   总被引:15,自引:3,他引:12  
横波速度是地震勘探中的重要参数。针对实际生产中缺乏横波速度测井曲线资料,利用经验公式计算精确度不高的问题,通过对横波速度计算理论模型的研究分析,选择Blot-Gassman模型法,利用岩石矿物成分、流体成分、孔隙度及密度等测井曲线进行横波速度测井曲线的计算,并对横波速度计算技术和流程进行研究。在实际工区进行了横波速度曲线计算,计算结果与实测横波吻合程度较高,误差小于10%,该技术在储层和流体识别预测的应用中取得了较好效果。  相似文献   
9.
本通过对目前国内引进外国原版教材以及现阶段出版竞争情况的分析,结合化学工业出版社引进教材的成功经验,提出了目前引进原版教材中应该注意的一些问题。  相似文献   
10.
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