反应磁控溅射法制备ZnO/Al(O)/ZnO薄膜的光学和电学性能

采用反应磁控溅射法,通过控制中间层沉积时的氧气流量,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基底上制备了ZnO/Al(O)/ZnO薄膜,研究了氧气流量对Al(O)薄膜的微观形貌、表面粗糙度,以及对ZnO/Al(O)/ZnO薄膜光学和电学性能的影响。结果表明:随着氧气流量的增加,铝在ZnO薄膜表面由三维岛状生长转变为二维层片状生长,Al(O)薄膜表面粗糙度先增大后减小再增大,当氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)时最小;随着氧气流量的增加,ZnO/Al(O)/ZnO薄膜在较长波长范围内的透过率增大,方阻增大,霍尔迁移率和载流子浓度下降;综合考虑光学和电学性能,适宜的氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)。     

Fe／In2O3磁性颗粒膜的光学特性

研究了射频溅射法制备的磁性颗粒膜的光学特性。发现在Ｉｎ２Ｏ３母体材料中嵌入Ｆｅ颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由Ｉｎ２Ｏ３的直接跃迁变为间接跃迁，基本吸收边变平；随磁性粒子所占体积分数的增加，局域态尾变宽，带隙交窄。这是由于嵌入Ｆｅ颗粒后，母体材料与磁性颗粒的界面积增加，具有了较多的表面态，以及母材料的非晶化引起的。     

纳米Cu_2Se的制备及其生长机理分析

采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融体中,以CuCl2·2H2和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm3m(225),格点参数a=0.5765nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10～20nm,宽度为200～300nm的片状结构.生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生,水量越多棒状非晶的尺寸越大,使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差.根据配位多面体生长机理模型,计算了生长基元的稳定能,并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理.     

BESⅢ上τ轻子对产生阈附近衰变分支比测量的模拟研究

利用BESⅢ的离线软件系统模拟τ轻子对在其产生阈处衰变到包含eμ和eπ子的末态;借助粒子鉴别软件对衰变末态进行筛选,得到相应的探测效率及本底比率,由此估算出相应于特定统计误差精度要求的数据获取时间.     

含咔唑基2,2'':6'',2"-三吡啶衍生物的合成及其光学性质研究

设计合成了含咔唑基团的2,2':6',2"-三吡啶衍生物W1～W3,运用核磁共振氢谱,核磁共振碳谱对目标化合物进行了表征;研究了W1～w3分子的单光子荧光和双光子荧光光谱,并在密度泛函理论水平上,利用少态模型对W1～w3分子进行初步理论研究,理论计算结果与实验结果得到较好的吻合,为寻找新型双光子材料进行了有益的探索.     

一种新型光学隔离器的研制

在光通讯技术、光稳频技术、非线性光学和分辩光谱学技术,激光多级放大及高精度干涉测量等技术领域,经常为了消除后级系统产生的背反射对前级系统的影响,需用光学隔离器.我们在对原来光学隔离器的分析研究的基础上,研制了一种新型光学隔离器.它结构简单,没有利用法拉第效应,通过对其测试表明:在λ=6328(?),正向插入损     

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.     

电子陶瓷的混合烧成

混合烧成是制造性能优异的电子陶瓷的一种有效方法。本文介绍应用这种方法的两个例子。一是制备高稳定性高耦合系数的压电陶瓷,另一是制备高介电常数高温度稳定性的介电陶瓷。     

模数转换片AD574及其与8031单片机的接口

<正> 一、AD574的内部结构及引脚功能A/D转换器的功能是将未知的连续模拟输入信号转换为数字信号,然后送入微机处理。AD574是一种转换速度较高的12位逐次逼近型带三态缓冲器的模数转换器,它是28引脚双列直插式封装的芯片,其原理结构及引脚如图1所示。从图中我们可以看出,AD574是由两部分组成的,一部分是模拟芯片(图中阴影部分)由高性能的12位D/A转换器和参考电压组成;另一部分是数字芯片,由控制逻辑、时钟、逐次逼近寄存器(SAR)和三态输出缓冲器组成。AD574的引脚功能分类如下:     

SrTiO3为基的介质陶瓷的结构与介电性质

本文主要研究0.91(Sr_(0.84)Pb_(0.16))TiO_(?) 0.09(Bi_2O_3·3.5TiO_2)介质陶瓷的结构与介电性质。用扫描电镜和 X 射线衍射分析表明,此种材料在室温下为顺电立方相,具有晶粒小且均匀、致密度高等特点。介电测量表明,在10kHz～90MHz 范围内样品的介电常数ε′基本上保持不变,而介电常数ε″随频率的增加而平坦地增大。