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1.
武世明  曾以成  陶亮 《微电子学》2015,45(4):465-468, 473
基于0.5 μm CMOS工艺,设计了一种电流可随系统温度变化自适应调节的LED驱动电路。通过设计自适应调控模块,实现LED驱动可自适应工作于正常恒流输出、自适应调控输出、滞回关断保护三种状态。Spectre仿真结果表明,在0 ℃~80 ℃的正常温度范围内,350 mA的恒流驱动输出变化小于0.28%;电源电压在±10%的波动范围内,恒流输出波动小于1.8%;80 ℃~110 ℃间,调控输出驱动电流可调幅度为160 mA;111 ℃时,电路关断输出,直到温度降回70 ℃后,重新开启。该电路对热功耗的管理作用更加高效可靠,对于LED照明等领域的应用,较现有方案更为优越。  相似文献   
2.
基于Multisim10仿真软件,设计单片机的虚拟串口驱动LCD1602液晶电路。实现了虚拟串口扩展并行输出的功能。该设计适用单片机UART串口被占用时,以最少的单片机I/O口驱动LCD1602,满足显示电路中复杂信息的需求。与传统的设计手段相比,在Multisim10平台支撑下,设计电路更方便快捷,并可通过仿真结果直接观测和验证设计电路是否达到要求,具有省时、低耗、高效的优越性。  相似文献   
3.
本文介绍了一种基于Rhino3D开发平台的鞋楦二、三维之间相互转换的设计,该设计使得鞋楦二维到三维和三维到二维的转换得到统一实现。并且满足转换前后,二维鞋样和三维鞋样的面积近似相等,边界线相互对应且长度保持相等,鞋样上网格点的位置相互对应。该设计利用VC 语言编程在Rhino3D操作平台上实现并给出了转换的直观效果,验证了该设计的可实施性。  相似文献   
4.
一种基于单片机的红外遥控软件解码方法   总被引:5,自引:0,他引:5  
文章详细论述了红外遥控数据的调制与编码方式,设计了一种基于MCS-51单片机的红外遥控解码方案,并简要介绍了红外通信抗干扰措施并给出软件设计实例。  相似文献   
5.
将磁控忆阻器耦合于LC振荡电路中,得到了一种新的忆阻混沌电路.随后通过理论上的动力学分析、数值仿真、电路实验等验证了该电路的混沌特性.为了实现电路的混沌控制,设计了一种新型模拟时滞控制器.利用该控制器将混沌电路状态变量加以延时并反馈至原电路中.数值仿真和电路实验结果均表明,所设计的时滞控制器可实现混沌电路的镇定控制.进一步研究时滞控制下电路的分岔行为,发现时滞控制下的电路又可通过倍周期分岔进入超混沌.  相似文献   
6.
用加权最小二乘法设计分数延迟FIR数字滤波器。在设计中,滤波器系数表示为分数延时量的多项式,对由多项式系数构成的矩阵进行行拉直,使之成为行向量以方便计算;用积分计算目标误差函数,相对于利用大量离散点值求和的方法,精度更高;求解拉直行向量时,采用矩阵三角分解,并合理调整计算顺序以避免病态计算。仿真计算表明,利用本文方法设计的分数延迟FIR数字滤波器的精度更高,复杂度更低。  相似文献   
7.
本文提出一种基于单向耦合同步的混沌背景中谐波频率估计的新方法。该方法把混沌背景中的谐波频率估计问题转变为同步误差中的谐波频率估计问题,改善了信噪比,在混沌背景中存在强随机噪声情况下,仍能估计出谐波信号频率。仿真实验表明,该方法简单有效,计算量小,且估计效果要优于RBF神经网络方法。  相似文献   
8.
为了解决CMOS OTA跨导增益不能线性调节的问题,本文采用AB电流镜对NMOS和PMOS差分对管实现的基本OTA进行电流偏置,从而实现了一个跨导增益可以宽幅线性调节的全差分CMOS OTA电路。提出的OTA能够通过调节外部电流Iadj实现线性调节跨导增益,其误差小于2%,外部电流Iadj的调节范围为-40 A~40 A。OTA的差分输入电压摆幅为200mVp-p,输出电流的非线性度小于1.2%。电路的性能通过PSPICE仿真得到了验证。  相似文献   
9.
采用鼓包法研究聚丙烯薄膜/不锈钢基底的粘接性能。基于数字散斑相关法,对自由窗口的聚丙烯薄膜受油压发生变形的全场形貌进行测量。实验结果表明:方形窗口薄膜的剥离最先从四边的中心开始,然后扩展到薄膜的4个尖角,变形形貌从方形最后变成圆形。聚丙烯薄膜/不锈钢基底的界面粘接能为(22.60~1.55)J/m2,这个结果和圆形薄膜窗口测量的结果吻合得较好。  相似文献   
10.
在1200-1400°C下采用热压扩散的方法制备BN包覆Al2O3纤维增强NiAl基复合材料,利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究其界面的显微结构和化学热稳定性。结果表明,在BN层与Ni25.8Al9.6Ta8.3的界面处发生了元素的扩散并伴随有复杂的化学反应发生。在NiAl和BN界面形成了连续的AlN层,Cr原子扩散到BN层中与B发生反应生成Cr5B3,还有小量的富Ta相在近NiAl侧界面处生成。  相似文献   
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