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1.
铜基引线框架材料的研究与发展   总被引:67,自引:0,他引:67  
引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。  相似文献
2.
电子封装材料的研究现状   总被引:38,自引:5,他引:33  
电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了严格的要求,综述了各种新型封装材料的发展现状;并以金属基复合材料为重点,分别从增强体,基体材料,制备工艺及微结构几个方面讨论了它们对材料热性能的影响,据此进一步提出了改善封装材料热性能的途径及未来的发展方向。  相似文献
3.
电子封装基片材料研究进展   总被引:30,自引:6,他引:24  
阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。  相似文献
4.
集成电路用金属铜基引线框架和电子封装材料研究进展   总被引:25,自引:1,他引:24  
陈文革  王纯 《材料导报》2002,16(7):29-30,57
针对集成电路向高密度、小型化、多功能化发展,介绍了国内外传统的和以铜为基复合新型的引线框架和电子封装材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题,同时展望了铜合金及其复合的引线框架和电子封装材料的发展趋势。  相似文献
5.
电子封装材料的研究现状及进展   总被引:23,自引:3,他引:20  
根据电子及封装技术的快速发展特点,通过比较几种传统的电子封装材料的优劣,以金属基复合材料为重点,阐述了三明治复合板KCK(Kovar/Cu/Kovar)的制作及性能,并展望了电子封装材料的发展方向及前景.  相似文献
6.
金属基电子封装复合材料的研究现状及发展   总被引:21,自引:1,他引:20  
阐述了金属基复合材料用于电子封装领域的优点及其重要意义,综述了该研究方向最新研究现状,归纳了金属基电子封装复合材料制造方法,指出了未来研究方向。  相似文献
7.
新型喷射成形轻质、高导热、低膨胀Si-Al电子封装材料   总被引:17,自引:0,他引:17  
传统封装材料的性能已经不能满足微电子技术飞速发展的需要,为此,国内外相继采用喷射成形技术研究开发了适用于电子行业发展的新型Si-Al系列合金,这种高硅(50-70wt%)合金具有细小均匀的显微组织,以及均匀和各向同性的性能,同时具有低热膨胀系数,高热导率和低密度等特点,与普通碳化硅增强金属基复合材料(MMCs)不同,新合金可以用普通刀具进行加工,并且容易进行镀镍,铜、银和金等涂覆处理,采用上述材料已成功地制备了航空应用的微波放大器模块,比全可伐合金封装减重约30%以上,对喷射成形Si-Al合金的研究开发现状进行了简单评述。  相似文献
8.
低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状   总被引:13,自引:2,他引:11  
主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的LTCC技术.  相似文献
9.
电子封装用金属基复合材料的制备   总被引:10,自引:1,他引:9  
黄强  金燕萍  顾明元 《材料导报》2002,16(9):18-19,17
分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求,在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。  相似文献
10.
高体积分数粒子型铝基复合材料热膨胀性能的研究   总被引:10,自引:2,他引:8       下载免费PDF全文
测定了真空气压渗流法制备的三种高体积分数SiCP/Al 复合材料在0~ 400℃间的热循环曲线及其在此温度区间的线膨胀系数值。测试结果表明复合材料的线膨胀系数值约为其基体的一半, 其值与Kerner 模型的计算值相接近; 复合材料的热循环曲线的特征明显不同于其基体, 三种基体复合材料的热循环曲线的特征也存在差异。对此应用塑性变形理论进行了解释。发现通过改变合金基体可改变热循环曲线的封闭性。  相似文献
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