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1.
以Al(NO3)3·9H2O、柠檬酸钠和多壁碳纳米管(MWCNTs,Multi Walled Carbon Nanotubes)为原料,采用水热法制备了片状和棒状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料.研究了γ-AlOOH/MWCNTs复合材料形貌结构和水热时间对材料电磁参数及微波吸收性能的影响.结果表明:片状复合材料的介电常数高于棒状复合材料,棒状复合材料具有更好的吸波性能.片状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料在10.32 GHz处的最小反射损耗(RL,Reflection Loss)为-29.86 dB,有效吸收带宽达到3.76 GHz.棒状γ-AlOOH/MWCNTs复合材料在7.92 GHz处的最小反射损耗RL值达到-61.05 dB,同时低于-10 dB的有效吸收带宽为3.44 GHz. 相似文献
2.
PBSZT系大功率压电陶瓷极化工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为探索大功率低损耗压电陶瓷材料的最佳制备工艺,对改性锆钛酸铅压电陶瓷Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5wt%MnO2 0.5wt%Sb2O3的极化工艺进行研究。结果表明,该体系的最佳极化电场为4Kv/mm,极化温度120℃左右,此时得到的陶瓷性能较佳。 相似文献
3.
采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48. 相似文献
4.
采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。 相似文献
5.
6.
以CoCl2和Na2S为试剂,采用改进的化学浴沉积法在玻璃衬底上制备出了CoS薄膜,并分别以偏光显微镜和LCR仪对样品的形貌和介电性质进行了研究。 相似文献
7.
8.
采用SEM、XRD、网络分析仪等分析测试手段研究了ZrO_2含量对CBS/ZrO_2复合陶瓷结构与性能的影响。研究结构表明:随着ZrO_2量的增加,CBS/ZrO_2复合陶瓷的介电常数先增加后降低,介电损耗先降低后增加;ZrO_2量为25%时,CBS/ZrO_2复合陶瓷的介电常数达到最高为7.81,密度最大达到3.144g/cm3;ZrO_2量为15%时,CBS/ZrO_2复合陶瓷介电损耗最低为1.55×10~(-3)。CBS玻璃烧结后主要晶相为CaSiO3,CBS/ZrO_2复合陶瓷主要晶相为CaSiO3和ZrO_2。 相似文献
9.
采用传统电子陶瓷制备工艺制备了(1-x)BaTiO3-xBi0.5Na0.5TiO3(x=O.2~0.6)陶瓷,研究了不同Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)含量下陶瓷的微结构特征和介电性能。结果表明:在BNT为0.2~0.6mol时,陶瓷样品均具有单一的钙钛矿结构,陶瓷的晶粒形状和大小随BNT含量的增加发生变化,BNT含量增加时样品的晶粒趋于减小,样品结构更为致密。陶瓷样品都具有稳定的介电性能,较高的介电常数,较低的介电损耗、BT-BNT40的介电稳定性最好。居里温度随BNT含量的增加而升高、当BNT含量为0.6mol时,T=210℃。 相似文献
10.