压下率对大厚度比Al/Mg/Al层合板性能的影响

采用0.2 mm Al+5 mm Mg+0.2 mm Al的组坯方式,400℃保温10 min热轧制得大厚度比Al/Mg/Al层合板,研究了压下率对其界面结合、镁基材组织及拉伸性能的影响。对压下率为41%、49%和60%热轧制备的Al/Mg/Al层合板进行了界面SEM观察、微观组织观察、拉伸实验及拉伸断口的观察。结果表明,大厚度比Al/Mg/Al层合板在压下率为60%时,边部的附加拉应力造成边裂的出现;经41%压下率热轧可实现界面结合,但存在微缺陷,压下率为49%及以上可实现良好结合;压下率对Al/Mg/Al层合板的屈服强度和抗拉强度影响较小,对其伸长率影响较大。随着压下率增加,伸长率先增加后减小。压下率为49%时,伸长率最大为26%,其原因在于该工艺下镁基材的晶粒均匀细小,韧性提高。     

成膜助剂对水性氨基烤漆性能影响的研究

本文以羟基丙烯酸分散体和氨基树脂为主要反应物制备了水性氨基烤漆，研究了二丙二醇丁醚（ DPnB）、乙二醇丁醚（ BCS）、二乙二醇丁醚（ DGBE）、丙二醇甲醚（ PM）、丙二醇甲醚醋酸酯（PMA）、异丙醇（ IPA）6种成膜助剂对水性氨基烤漆性能的影响。通过对样品进行动态、静态流变性的表征以及粒径测试，研究了各成膜助剂的作用机理。结果表明： PM对氨基树脂和羟丙分散体树脂都有较好的相容性，其作用在水相和分散体粒子之间，有利于分散体在成膜前体系的稳定性。同时使用 PM为成膜助剂时，漆膜具有较快的表干速度，干燥后表现出较好的力学性能。经 130 ℃烘烤 25 min后，漆膜的 60 °光泽达 89. 5，柔韧性达 1 mm，冲击正冲 50 cm，反冲 50 cm，铅笔硬度 H，说明 PM是本研究氨基烤漆体系的最佳成膜助剂。     

多晶硅表面金属催化化学腐蚀法制绒研究现状

在多晶硅太阳能电池的生产过程中, 金刚线切割技术(Diamond wire sawn, DWS)具有切割速度快、精度高、原材料损耗少等优点, 受到了广泛关注。金刚线切割多晶硅表面形成的损伤层较浅, 与传统的酸腐蚀制绒技术无法匹配, 金属催化化学腐蚀法应运而生。金属催化化学腐蚀法制绒具有操作简单、结构可控且易形成高深宽比的绒面等优点, 具有广阔的应用前景。本文总结了不同类型的金属催化剂在制绒过程中的腐蚀机理及其形成的绒面结构, 深入分析和讨论了具有代表性的银、铜的单一及复合催化腐蚀过程及绒面结构和电池片性能。最后对金刚线切割多晶硅片表面的金属催化化学腐蚀法存在的问题进行了分析, 并展望了未来的研究方向。     

化学专业仪器分析课程教学改革初探

针对化学专业仪器分析课程教学中存在的学生基础薄弱、教学模式固化、理论与实践脱节、考核评价方式单一等问题.在教学内容、教学模式、理实衔接和考核方式上进行了课程改革初步探索.提出了优化课程内容,突出教学重点;依托线上课程教学资源库,创新教学模式;强化理论和实践衔接,提升教学质量和多元化考核的措施,为今后进一步深入的课程教学改革奠定了基础.     

滚筒位置参数及摇臂厚度对装煤性能的影响研究

采煤机作为综采工作面的关键设备,其性能直接决定工作面的生产能力,为进一步提升工作面生产能力,在研究滚筒采煤机装煤理论的基础上,基于现有工作面采煤机的参数分别对滚筒位置参数和摇臂厚度对采煤机装煤性能的影响机理进行研究,为后续改进采煤机的结构参数和生产过程中位置参数奠定扎实的理论基础.     

防气窜固井技术研究

从气窜机理、气窜预测方法、提高水泥浆防气窜性能、防气窜固井工艺技术四个方面进行研究,为固井防气窜提供理论依据,进而提升防气窜固井技术。     

PLC控制在电厂化学水处理系统中的应用分析

当前我国电厂化学水处理工作逐渐增加,其水源主要来自天然水体,内部包含许多杂质,需要消耗较多步骤流程来进行处理,如果内部管理系统无法有效发挥管理作用,将导致设备过度损耗,影响设备使用寿命,甚至造成生产安全事故。电厂化学处理需要采用科学管理控制系统,运用科学数据分配管理,保障整体系统安全水平,实现自动化管理系统的应用,提升整体电厂化学水处理系统工作质量。本文结合当前电厂化学水处理系统工作背景,对PLC控制系统的应用可行性进行全面研究,希望可以为相关工作人员提供有效参考。     

计算机技术在食品工业中的应用

基于计算机模拟技术，阐述食品安全工业中使用酶进行改造和应用，将计算机以嵌入式的方式，提升机器人的包装速度，探讨电子舌技术对于食品的味道进行评价和分析。     

Cu掺杂对有序Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的结构与物理性能的影响

采用固相反应法制备了四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(x=0~1.0)多晶。用热重-差示扫描量热分析,X射线衍射研究了多晶的有序化相变及结构。在固溶范围内(x=0~0.4),观察到有序峰(103)和(215),说明四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶为超结构,这是由于合成时在1000℃以上发生了吸氧(δ)有序化相变；当x=0.6~1.0时,978℃时在晶界处形成了单斜杂相,破坏了Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的有序。当x=0~0.4时,多晶呈半导体输运行为。随着Cu掺杂量的增加,Co4+提供的空穴载流子浓度增大,电阻率明显下降；由于Cu的固溶,自旋熵增加,载流子浓度和自旋熵的共同作用使x=0~0.2多晶的热电势不变,x=0.4的热电势降低。并且Cu掺杂导致的晶格畸变使Co3+离子由高自旋态转变为高/低自旋混合态,磁化强度和铁磁转变温度(Tc)降低,磁结构由G-型反铁磁转变为铁磁。在进行二次烧结后,300K时电阻率明显降低,热电势为一次烧结的2倍,可能是二次烧结使多晶的有序化程度增大,提高了铁磁有序排列。