N,N,N'''',N''''-四丁基-3-氧-戊二酰胺辐解机理的研究

计算了N，N，N’，N’-四丁基-3-氧-戊二酰胺（N，N，N’，N’-tetrabutyl-3-oxa-pentanediamide，TBOPDA）中各个原子的电荷分布，根据电荷分布情况讨论了TBOPDA中有关化学键的相对稳定性和可能断裂几率，认为TBOPDA中化学键的辐照稳定程度为C-O〈C-H〈C-N〈C-C。理论推测的结果与相关辐解产物的产额顺序基本一致。     

压电传感器现场监测石英表面电荷分布

理论上解析了石英表面电荷分布情况,利用双液隔电极压电传感器(ESPS)与溶液直接接触的特点,对阴、阳离子表面活性剂的吸附情况进行了现场监测,间接地证明了理论分析,这对传感器本身以及石英表面改性处理有重要参考价值。     

碳纳米管性能测量实现新突破

在硅芯片晶体管接近其物理性能极限的当今,碳纳米管被认为是未来替代硅芯片原料的最佳候选材料.但是,要将碳纳米晶体管应用于大型集成电路还有很长的路要走,其中,了解纳米管内电子密度的变化对制作更可靠的碳纳米晶体管是一个关键因素.近日,IBM的科学家宣布他们对碳纳米管内的电荷分布进行了测量,并发现其直径小于2nm.     

利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性

在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方法可以有效而准确地测量出注入电荷沿沟道方向的分布.为了提高测试精度,在进行电荷泵测试时,采用固定低电平与固定高电平相结合的方法,分别对SONOS器件源端和漏端进行注入电荷分布的测试.通过测试,最终获得SONOS存储器在沟道热电子注入编程后的电子分布.电子分布的峰值区域在漏端附近,分布宽度在50nm左右.     

扫描探针显微镜测壳聚糖材料的表面电荷分布

提出一种测量材料表面电荷是非均匀的、没有中性区的弱电荷的方法.即测试时,利用扫描探针显微镜(SPM)的静电力显微镜(EFM)测量技术,依靠轻敲模式(Tapping Mode)和抬举模式(Lift Mode),用相位成像测量有机高分子膜--壳聚糖膜(CHI)的表面电荷密度空间分布,但由于仪器设计中相位的泰勒展开是:sin△φ≈1/2△φ,所以所获的电荷图像只能确定材料的表面电荷分布和表面电荷密度的近似值.然而,嵴宽约为2.12μm表面正电荷微沟槽结构的这种特殊电荷形貌分布有利于细胞的生长,因此获得的表面电荷分布补充了生物材料表面理化性质.     

碳纳米管性能测量新方法

日前，IBM公司的科学家宣布他们对碳管内的电荷分布进行了测量，并发现其直径小于2纳米，仅相当于人类头发直径的5万分之一。这项新颖的技术借助电子和声子交互作用为碳纳米管电学性能提供了一个详细的解释，与今天常规的硅晶体管相比，这一材料为更小、更快并且能耗更低的计算机芯片提供了基础。     

电容屏破损缺陷局部放电过程规律特征及仿真分析

油纸电容式变压器套管因性能好、成本低而被广泛采用。当电容屏存在边缘破损工艺缺陷时易发生局部放电,进而会改变油纸绝缘性能,缩短套管使用寿命,严重时危及电网设备安全运行。为研究电容屏破损局部放电过程变化规律,明确放电发展阶段,该文搭建了缺陷套管放电实验模型分析局放过程中相位谱图、放电量等参数发展规律,并基于实验规律及流体漂移扩散理论、固体双极电荷传输理论,建立了末屏缺陷针板沿面放电过程仿真模型,结合仿真中电荷形态变化、放电时间及油纸界面电荷密度分布对电容屏破损放电过程进行阶段划分：放电初始阶段,铝箔尖端电荷聚集发生电晕放电;放电发展阶段,尖端处带电粒子在电场作用下向油纸发展,小部分达到油纸界面产生沿面放电;放电破坏阶段,经过长时间沿面放电进入油纸发生预击穿,电场强度更大使带电粒子能量更高,冲击油纸表面造成油纸表面纤维素断裂炭化形成通道。仿真结果与实验结论相对应,证明了仿真的有效性。该文的研究成果进一步阐明了油纸套管电容屏工艺缺陷局部放电的过程及机理。     

单根碳纳米管场致发射表面电荷分布研究

考虑碳纳米管尺寸及端帽形状,计算得到了比较精确的金属型纳米管表面电荷密度相对分布曲线。与先前的理论结果作比较,消除了曲线上的波动,曲线相对抬高,尖端附近电荷量所占比例减小。进一步研究了长度、半径和长径比对电荷密度相对分布曲线的影响,表明长度主要影响管身电荷密度相对分布,半径主要影响尖端电荷密度相对分布。在忽略其他条件影响下,长径比相同的碳纳米管,电荷密度相对分布曲线趋势完全相同。     

适用于研究低能裂变碎片电荷分布的探测器装置

为研究²⁵²Cf自发裂变碎片电荷分布，建立了由屏栅电离室和ΔE-E粒子望远镜构成的探测器系统。在该系统中，将薄的屏栅电离室作为碎片的ΔE探测器，E探测器是金硅面垒半导体探测器。通过分析实验测量的4参数关联数据，得到了²⁵²Cf自发裂变碎片质量数、动能及碎片在气体ΔE探测器中的能量沉积分布等物理量。用多高斯（multi-Gaussian）分布函数对ΔE探测器的能量响应函数进行最小二乘法拟合，得到了在固定质量数A^*_L和动能条件下轻碎片的电荷分布。结果表明：该探测器系统的电荷分辨能力Z/ΔZ约为40∶1；建立起来的测量技术可用于测定²³⁵U(n,f)和²³⁹Pu(n,f)反应碎片的电荷分布。