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1.
高性能聚酰亚胺的进展   总被引:17,自引:0,他引:17  
本篇综述主要介绍聚酰亚胺的市场动态及其薄膜、模塑料和复合材料的进展。  相似文献
2.
聚酰亚胺薄膜的高场电导特性   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了Dupont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜在10kV/mm、20kV/mm电场下电晕老化8h前后和在不同温度下的高场电导特性.结果表明,原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜老化前的电老化阈值分别为35kV/mm和45kV/mm,并随着老化电场的增加而下降.随着温度的升高,原始聚酰亚胺薄膜的电老化阈值明显增加,而耐电晕薄膜的电老化阈值略有下降.耐电晕薄膜的电导电流比原始薄膜约大一个数量级.根据空间电荷限制电流与温度的关系,求出原始和耐电晕聚酰亚胺薄膜的陷阱能级分别为0.9eV和0.7eV.  相似文献
3.
以3,3’-4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、4,4’-二胺基二苯醚(ODA)和三氟乙酰丙酮银(AgTFA)为主要原料,采用原位一步自金属化法制备了银含量为9%~15%的聚酰亚胺(PI)/银(Ag)复合膜,探讨了影响薄膜性能的各种因素,得到了同时具有高导电(表面电阻~1Ω)、高反射率(绝对反射率为65.3%)的PI/Ag薄膜。并通过透射电镜(TEM)研究了薄膜热处理过程与亚微相态之间的关系,定量探讨了反射率与固化时间之间的动力学方程。  相似文献
4.
聚酰亚胺膜分子自组装与激光诱导图形化学镀铜   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了摒弃化学镀铜中价格昂贵、环境污染的活化工艺,将分子自组装技术与激光诱导化学镀技术结合,在聚酰亚胺薄膜(PI)上成功实现了图形化微米级金属铜沉积:将PI薄膜通过KOH溶液进行表面水解;经离子交换和高温处理在PI表面束缚纳米银粒子,在PI表面自组装上一层十二硫醇的自组装膜;再用聚焦的激光光刻产生预期的图形,最后实施化学镀后,在PI表面上实现金属铜的图形化沉积.采用XPS,AFM,SEM,ATR-FTIR,半导体特性分析系1统和视频光学接触角测量仪等跟踪表征各过程.结果显示:沉积的铜线宽度为30μm,选择性、导电性良好,本法为化学镀技术提供一种新技术,可用于电子行业.  相似文献
5.
聚酰亚胺无机杂化薄膜疲劳性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
现有报道较少涉及有机薄膜疲劳特性的研究。基于应力幅控制,对聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO_2)复合薄膜的疲劳性能进行了实验研究,给出了不同应力幅值下材料的疲劳寿命,以及阻尼角、储能模量、耗能模量等随疲劳周次增加的变化规律。在此基础上,基于疲劳模量的概念,提出了一种改进型的针对聚合物及基体控制聚合物复合材料的疲劳寿命预测模型,其理论预测值与实验测试结果具有很好的一致性。  相似文献
6.
We have measured the transmittance of several polyimide (C22H10N2O4) films at wave numbers from 6000 to 500 cm–1 (wavelengths from 1.67 to 20 m) using a Fourier-transform infrared (FT-IR) spectrometer. The free-standing polyimide films are made by spin coating and thermal curing processes. The thickness of the films ranges from 0.1 to 4 m. In the nonabsorbing region from 6000 to 4000 cm–1, the minimum transmittance caused by interference is used to obtain the refractive index for film thicknesses greater than 1 m. The film thicknesses are determined by fitting the spectral transmittance using the refractive index. Molecular absorption strongly reduces the transmittance at wave numbers from 2000 to 500 cm–1. The optical constants, i.e., the refractive index and the extinction coefficient, are determined from the measured transmittance for several films of different thickness using a least-squares method. A Lorentzian oscillator model is also developed, which in general agrees well with the measured transmittance at wave numbers from 6000 to 500 cm–1. This study will facilitate the application of polyimide films in the fabrication of infrared filters and other optoelectronic applications. The methods presented in this paper can be used to determine the optical constants of other types of thin-film materials.  相似文献
7.
程茹  黄培  时钧 《材料工程》2006,(7):7-10
制备了经邻苯二甲酸酐(PA)封端的理论数均分子量为10000和30000的聚酰亚胺(PI)薄膜,通过差示扫描热分析(DSC)测定薄膜高温热处理前后玻璃化温度的变化,研究了PA封端对ODPA/ODA聚酰亚胺薄膜热稳定性能的影响.结果表明,封端可有效阻止分子链的无序增长,使聚酰胺酸(PAA)分子量分布变窄;且可明显减少分子链在高温下的反应,表现为热处理前后封端薄膜Tg变化明显小于未封端的薄膜.随着高温热处理时间的延长,短链薄膜Tg增长趋势减缓,长链薄膜的Tg变化直线上升.从高温再聚合、交联反应和端基活动性出发,解释了Tg升高和PA封端有利于提高PI薄膜热稳定性的原因.  相似文献
8.
程茹  朱梦冰  黄培 《材料工程》2007,(7):51-54,58
以4,4'-二胺基二苯醚(ODA)和3,3',4,4'-二苯醚四酸二酐(ODPA)为单体,采用两步法,分别经热亚胺化和化学亚胺化过程制备了两种聚酰亚胺(PI)薄膜,并对两种薄膜的性能进行了表征.傅立叶红外光谱(FT-IR)表明两种薄膜均已完全亚胺化.化学亚胺化的PI薄膜的玻璃化温度、热稳定性均高于热亚胺化的薄膜.拉伸性能测试表明热亚胺化的薄膜具有较高的断裂伸长率,而化学亚胺化的薄膜的拉伸强度、弹性模量较大.  相似文献
9.
在镀Ni基材上制备PAA薄膜并加热亚胺化,改变最终的亚胺化温度,所得产物经红外光谱分析均为PI薄膜。考察在不同亚胺化温度下制备的PI薄膜的亚胺化程度,物理机械性能和摩擦性能。试验结果显示,随亚胺化温度的升高,亚胺化程度逐渐提高,到了300℃亚胺化基本完成,继续升高温度,亚胺化程度反而有所降低。300℃制备的PI膜具有最好的物理机械性能,在MM 200摩擦磨损试验机上同偶面摩擦时获得最低的摩擦系数和较高的使用寿命。  相似文献
10.
This paper describes the temperature dependence of the total hemispherical emittance h in the temperature range from 173 to 700 K for three types of thermal control materials, which are based on a thin polymide film coated with aluminum on the back surface. The results obtained from the measurements are compared with calculated values from optical constants. The principle of the present measurement is based on the steady-state calorimetric method, and h is obtained by measuring the equilibrium temperature of a sample corresponding to different heat inputs to a heater attached to the sample. On the other hand, the present calculation method is performed by using data for the optical constants of polyimide films and vapor-deposited metal in the wavelength region from 0.25 to 100 m. These results agree with each other on the whole. It has been observed that the temperature dependence of h is remarkable, and the values have a maximum around 410 K.  相似文献
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