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1.
PLC控制系统是以计算机技术为基础的独特的编程、仿真、组态集成系统。本文重点介绍PLC控制系统在化工粘合剂生产过程中的应用,论述了该系统的组成及特点,通过实际应用验证了其系统的可靠性、实用性、数据管理的科学性。  相似文献   
2.
SmCo类磁体的价格昂贵和Co供应紧张促进了对铁基稀土永磁材料的研究开发工作。已有的结果表明,所有二元系稀土铁金属间化合物都不具有强的单轴磁晶各向异性,或其居里温度和磁化强度值太低,使其不能成为高磁性能的永磁材料。因此现在的研究工作已扩展到稀土铁的三元甚至四元化  相似文献   
3.
Al对(Nd,Dy)-(Fe,Co)-B稀土永磁体磁性能和显微组织的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
Al可显著提高(Nd,Dy)-(Fe,Co)-B稀土永磁体的矫顽力,降低不可逆损失,δirr<5%的最高温度可达230C。显微组织分析表明,Al对显微组织的影响主要发生在富Nd相内。烧结时,富Nd液相内溶有一定量的Al。冷却时,Al在富Nd相内形成富Al区和含Al量较高的粒子。富Nd液相内的Al可改善其与φ相的湿润性,从而提高磁体的矫顽力。  相似文献   
4.
采用透射电镜,X射线,膨胀仪等方法,对含稀土和不含稀土的4种低、中碳Si—Mn-V钢(20SiMn2V;20SiMn2VRE;40SiMn2V和40SiMn_2VRE)进行了淬火、回火过程中组织结构转变的对比试验,结果表明:稀土元素可以细化低、中碳钢的奥氏体晶粒度;降低M_s点;细化马氏体板条束和板条晶尺寸;并增加中碳钢马氏体中位错亚结构的相对比例。而对低、中碳钢淬火回火组织中残余奥氏体的体积和热稳定性影响甚微。稀土元素明显地抑制了低碳马氏体在低温回火过程中的分解,阻碍板条晶内片状渗碳体的析出,并推迟其长大球化过程。稀土元素也明显地抑制了中碳马氏体中高温回火过程中粒状渗碳体的析出和球化过程。  相似文献   
5.
本文通过扫描电镜,光学金相,冲击,抗弯等手段对矿用高强度圆环链用新材料23SiMnV钢的韧性进行了试验和研究。研究表明,硅的加入提高了23SiMnV钢的焊接性能,细化了过热区晶粒提高了焊口冲击韧性。  相似文献   
6.
铜钛合金调幅分解之特征   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过透射电子显微分析和X射线衍射分析对Cu-52Ti(%,原子分数,下同)合金的调幅分解过程进行了研究。确认调幅分解是Cu-Ti合金相变初期的过程之一。盐水淬冷不能抑制调幅分解,淬火态调幅波长约为57nm。研究表明,调幅分解与调幅组织的长大是两个完全不同的过程,分别属于连续相变和非连续相变。这两个过程的波长长大动力学均符合λ3-λ30=kt定律,长大激活能分别为176kJ/mol和134kJ/mol。电镜下看到的调幅组织不能作为调幅分解发生的判据。  相似文献   
7.
通过TEM分析对Ni10%Ti(%,质量分数,下同)合金时效早期相变过程的研究表明Ni10%Ti合金过饱和固溶体先通过调幅分解机理分解为贫、富溶质区;随后富溶质区发生有序化,最后形成L12型有序相Ni3Ti。同时发现,淬冷抑制了该合金固溶体的相分解过程。NiTi合金时效相变过程中存在调幅分解与有序化两种失稳模式共存现象。  相似文献   
8.
采用电子衍射方法对Fe-1.83C马氏体室温时效时产生的有序相结构进行研究,确定其结构为偏离化学计量成分Fe_4C的γ′-Fe_4结构,称为γ′-Fe_xC(Ⅰ)(x=4-11)。碳原子位于单胞的1/2,1/2,1/2位置。该有序相单胞尺寸为:(a_M,c_M分别为马氏体单胞的a和c轴长度),它与母相完全共格,位向关系为(001)_Ⅰ∥(001)_M,[100]_Ⅰ∥[110]_M。根据γ′-Fe_xC(Ⅰ)晶体结构计算出的有序相衍射花样与实验得到的衍射花样全部吻合。  相似文献   
9.
高能球磨Si还原CuO的固态还原反应   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过对Si和CuO粉末进行高能球磨制备了Cu和SiO2的复合材料。表明了一般条件下难以进行的固态还原反应,在高能球磨时可以发生;还原产物为纳米级的Cu和非晶的SiO2,还原反应的进程有赖于高能球磨的条件;利用高能球磨可以直接制备纳米级氧化物金属复合材料  相似文献   
10.
氧化铝陶瓷与不锈钢钎焊的接头强度与热震抗力   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了钎焊温度对氧化铝陶瓷与1Cr18Ni9Ti不锈钢接头强度的影响,探讨了钎焊接头的热震抗力。结果表明,由于陶瓷/钎料界面反应和界面残余应力的综合影响,随着钎焊温度的增加,接头强度先增加然后逐渐降低,850℃钎焊时接头强度最高。在低于600℃温度范围内加热后空冷或加热空冷循环热震时对钎焊接头强度损伤较小,而淬水热震,特别是在300℃以上温度时对接头强度损伤较大,严重者出现开裂现象,这主要是界面附近存在较高的残余热应力的缘故。  相似文献   
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