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半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青睐。主要从电极、溶剂的选取及电沉积方法等方面阐述了低温电沉积硅工艺研究现状,同时对低温电沉积硅存在的问题和发展趋势进行了讨论。 相似文献
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研究多晶硅工业的主要副产品四氯化硅(SiCl_4)在离子液体中的溶解、电沉积过程。结果表明,SiCl_4在离子液体中的溶解度随温度升高而降低,离子液体的导电率随温度升高而增加。在阴离子为[TNf_2]的情况下,阳离子为[N_(1114)]的季铵盐类离子液体比咪唑类[Bmim]离子液体具有更好的SiCl_4溶解度和导电性。SiCl_4在季铵盐类离子液体的溶解度随烷基主链长度增加而增大,随侧链长度增加而降低。[N_(1114)][TNf_2]和SiCl_4之间形成C-Cl、Si-O和C-Si键,在[N_(1114)][TNf_2]-SiCl_4体系中S_i~(4+)的还原电位为-2.2V。在温度25℃、SiCl_4浓度0.3mol/L、电流密度20A/m~2、电解时间2h的条件下可电沉积得到较为致密的硅薄膜,呈球形颗粒状分布。 相似文献
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为研究高温下掺入Ag的CrN涂层的组织性能,在沉积温度为800℃的条件下采用直流反应磁控溅射技术制备CrN/Ag硬质涂层。采用扫描电镜(SEM)、EDS能谱仪、X射线衍射(XRD)和维氏硬度计,综合分析了800℃沉积温度下,对不同Ag掺杂情况下CrN/Ag涂层的组织结构和性能特点,以及700℃热处理工艺对其的影响。结果表明,Ag添加导致CrN晶相生长由(200)择优取向向无择优取向转变,并使得CrN/Ag涂层表面粗糙化;少量Ag(7%(原子分数))添加可提高涂层硬度,过多Ag(21%(原子分数))添加明显降低涂层硬度;高温热处理(700℃/1h)后,纯CrN涂层的氧化并不明显,但是,随Ag含量增加,涂层氧化程度逐渐增加,且在高Ag(21%(原子分数))涂层中Ag溢出现象显著;涂层氧化及Ag溢出导致涂层硬度显著降低。 相似文献
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采用顶空气相色谱和质谱联用技术对猪皮酶解液与还原糖的美拉德反应风味物质进行了分析,确定了54种成分,主要包括烃类8.522%、醇类6.65%、醛类12.805%、酮类23.371%、羧酸类0.251%、酯类1.4%、呋喃类16.957%、吡啶类0.252%、噻吩类5.263%、噻唑类20.072%、吡嗪类0.406%。该方法具有灵敏度高,样品前处理简单、快速的优点,适于分析热反应猪肉风味香精的组成。 相似文献
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双酶法水解猪皮工艺的优化 总被引:1,自引:0,他引:1
以猪皮为原料,以水解度(DH)为评价指标,在用Flavourzyme,Protamex,Neutrase,Alcalase,Papain进行单酶、双酶水解的基础上,筛选出了Flavourzyme和Protamex两种水解效果较好的酶,并采用Box-Benhnken响应面分析法,设计了3因素3水平实验,得到了双酶法水解猪皮的优化条件为:pH5.85,温度48.37℃,加酶量2.61%,底物浓度15%,时间6h,在此条件下,猪皮水解度最高,可达到19.25%。 相似文献
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