沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准     

美国工程师合成P型ZnO纳米线

美国加州大学圣地亚哥分校的工程师们合成了长期寻求的半导体材料-P型ZnO纳米线，为价格更低廉的新型发光二极管的制作铺平了道路。     

龙海硅业碳化硅微粉产业化项目通过验收

被列为奎屯市科技计划项目——“碳化硅微粉产业化示范项目”，经过近一年的运作，已基本完成合同规定各项指标。此项目产品质量达到国内先进水平，于11月通过专家组验收。     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

炭质制品的硅化

1.前言炭质制品硅化已引起了人们的普遍重视,并且得到应用。因为由此而形成的SiC制品气孔率低、密度大,其性能远远优越于以SiC为原料经压型,烧结制成的SiC制品。另外在炭制品表面硅化的SiC防护层,对于弥补炭质制品的某些缺陷起了重要作用。     

太钢3号高炉长寿护身技术应用实践

太钢3号高炉1987年中修时在炉腰、炉身下部4层立冷板采用软水闭路循环冷却,并在软水冷却的5.8m高度范围内采用氮化硅结合的碳化硅砖和高铝砖两环交错砌筑,至1992年2月停炉大修,生产了4年零10个月,取得了一代中修炉龄延长、生产指标改善的效果。生铁产量增加43.1％,高炉利用系数提高0.096,单位炉容产铁量增加897t,炉龄延长454天。     

高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。     

碳化硅马弗砖在热处理炉上的应用

介绍了采用碳化硅马弗砖建造钢丝连续热处理炉,不但可以节能,还能延长炉子使用寿命。提出了几个在建炉时值得注意的问题。     

平煤集团易成碳化硅公司举办企业文化培训活动

拥有国内最先进碳化硅精细微粉生产线、中国最大的碳化硅精细微粉生产企业——平顶山煤业（集团）易成碳化硅制品有限公司，于2008年11月22—23日，在公司举办了“构建卓越的企业文化”培训活动。