化学气相沉积技术与材料制备

概述化学气相沉积技术是一般原理与技术，总结化学气相沉积技术在材料制备方面的发展与应用状况，着重介绍化学气相沉积技术在制备贵金属薄膜和涂层领域的最新进展。  

化学气相沉积层的技术和应用

介绍了国内外化学气相沉积技术的研究进展，对化学气相沉积层的类型、性能和应用进行了详细的介绍，并展望了化学气相沉积法的发展趋势。  

硬质合金刀具涂层技术的研究进展

随着涂层技术的进步，使得硬质合金刀具涂层方法在不断地进步，日趋复杂化和多样化；硬质合金刀具涂层种类也在不断地更新，从单一的化合物涂层朝着多元复杂化合物涂层发展，涂层层数也从几层到十几层发展。本文简要地综述了目前国内外涂层硬质合金刀具的特点，高温化学气相沉积涂层(HTCVD或简称CVD)、物理气相沉积涂层(PVD)、等离子化学气相沉积涂层(PCVD)、中温化学气相沉积涂层(MTCVD)和离子辅助物理气相沉积涂层(IBVD)这5种硬质合金刀具涂层方法的机理、特点和缺点，以及单渗层涂层硬质合金、多渗层涂层硬质合金和新渗层涂层硬质合金这3种硬质合金刀具涂层的特点和应用。  

沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

利用MTS-H2-Ar体系，用化学气相沉积法（CVD）在SiC基体材料表面沉积SiC涂层。用X射线衍射仪和扫描电镜分析涂层的晶体结构和表面形貌。研究温度对涂层的物相组成、微观结构和沉积速率的影响。结果表明：在1100～1400℃范围内，沉积产物均为单一的β-SiC结晶相；随温度升高，SiC晶粒尺寸增大，1400℃时择优生长由（110）晶面转变为（220）晶面；涂层形貌对温度十分敏感，在1200℃温度下沉积的涂层最为致密，且具有最大沉积速率，是制备SiC涂层的最佳温度。  

纳米晶Ti-Si-N超硬复合涂层的研究进展

本文对纳米晶Ti—Si—N超硬涂层材料国内外研究进展进行了系统的回顾，着重分析了制备方法（等离子增强化学气相沉积，等离子辅助化学气相沉积，直流磁控溅射和射频磁控溅射等）、工艺参数（沉积温度，进气比）和硅含量对Ti-Si-N微观结构、硬度、抗氧化性、耐腐蚀性和耐磨性的影响。在合适的工艺条件下，能获得硬度最高的纳米TiN晶体镶嵌在非晶态的Si3N4基体上的复合涂层（nc—TiN／a—Si3N4）。该涂层有良好的性能并将得到广泛的应用。  

铼的氧化动力学研究

采用热重分析(TGA)技术分别研究了粉末冶金(PM)Re和化学气相沉积(CVD)Re在空气中的氧化规律。PMRe在1000℃以上的氧化遵循与格纳的厚膜氧化规律，即氧化速率遵从抛物线定律；而在较低的温度下，CVDRe的氧化失重与时间呈直线关系。PMRe和CVDRe的氧化失重与温度的关系均符合Arrhenius公式。  

独联体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术（上）

介绍了独联体国家难熔金属氟化物化学气相沉积的工艺、设备及其产品的开发情况和研究进展。  

钽在集成电路中的应用

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽，碳化钽，氮化钽，硅化钽，氮化硅化钽，氮化碳化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。  

金属有机化合物化学气相沉积法制备铱薄膜的研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上制备了铱薄膜.研究了铱的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系.铱薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程:沉积速率与绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,铱的沉积速率达到最大值,基体温度对薄膜质量有显著影响;随着以乙酰阿酮铱加热温度的升高,铱的沉积速率直线增加;而Ar流速的增大则显著减小铱的沉积速率.