凝胶-微乳液化学剪裁制备TiO2纳米颗粒

以钛酸丁酯为前驱物醇解为溶胶的方法制备成凝胶 ,再将其分散于微乳液中进行化学剪裁制备TiO2 纳米微粒 ;并用XRD ,TEM ,EDS ,FT IR对它进行了表征。研究表明 :它属于表面活性剂包裹型超细微粒 ,微粒呈均匀球状 ,平均粒径 30～ 5 1nm。每个小球包含 15～ 34个TiO2 粒子。与单纯用Sol gel工艺制备的锐钛矿型TiO2 纳米粉体 (40～ 80nm)比较 ,本法制备的TiO2 颗粒更加均一细小。  

原始粉末尺寸对Ti(C,N)基金属陶瓷烧结特性和组织结构的影响

用热分析仪、扫描电镜和透射电镜对主要硬质相分别以亚微粉、亚微粉与纳米粉的混合粉(以下简称混合粉)、纳米粉为原料制成的Ti(C，N)基金属陶瓷的烧结特性、组织结构和性能进行了研究。结果表明：主要硬质相TiC、TiN的粉末粒度越细，金属陶瓷的液相点越低，并且其快速致密化过程开始得越早，但主要硬质相全为纳米粉时，最终无法使其达到较高的致密度。用亚微粉制得的金属陶瓷具有常规金属陶瓷的典型结构，即“黑芯--白壳”。用纳米混合粉制得的金属陶瓷，没有明显Rim相的小颗粒和具有“白芯--黑壳”结构的小颗粒的数量大大增加，而具有“黑芯--白壳”结构的大颗粒的数量没有明显的增加。部分纳米粉的加入使金属陶瓷的综合力学性能得到了较大的提高。  

在高粘度介质中制备纳米钴粉

在两种介质中分别加入硝酸钴，碳酸铵进行制备纳米钴粉的溶胶凝胶反应。把获得的氧化钴粉放在700℃-850℃的氢气气氛下进行了还原处理。用透射电子显微镜检测，结果表明用这种方法可以制得纳米氧化钴粉。还原反应使纳米钴粉体的粒径较之氧化钴粉体的粒径增加了1—1．5倍。  

爆炸焊接00Cr18Ni5Mo3Si2/16Mn接合界面的TEM观察

用透射电镜研究了爆炸焊接复合板００Ｃｒ１８Ｎｉ５Ｍｏ３Ｓｉ２／１６Ｍｎ的结合界面，结果表明：爆炸焊接复合板的宏观界面为锯齿形；齿间的基板和覆板受强大爆炸冲击力的作用形成几向来主宽的过渡区，该区内位错密度增大，并有细小的覆板碎屑存在，齿部边缘的晶粒破碎２，齿尖部们有熔化现象，这主要是基于３个方面的原因：一是齿尖和有毛细管状沟槽组织存在；二是齿尖周围有析出物出现；三是齿尖与反的铬含量有一定差异。  

TEM观察砷化镓晶片损伤层

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。  

高温热处理对光滑层热解炭裂纹形成的影响

采用金相显微镜和透射电镜研究了高温热处理前后炭／炭复合材料光滑层热解炭的微观结构。结果表明：高温热处理对光滑层热解炭的消光角和取向角影响不显著，但导致光滑层热解炭中裂纹的形成。结合金相显微结构、中心暗场象和高分辨晶格条纹象的研究，证实了高温热处理导致光滑层热解炭中局部应力石墨化，并阐明了热处理导致局部应力石墨化的机理。  

塔塔钢公司热轧双相钢的开发

采用低碳钢(C0.08%、Mn1.40%、Si0.50%和Nb0.022%)已开发出两种双相钢.采用Gleeble1500模拟器对其相变行为进行了研究.根据Gleeble的研究结果,选择了热轧参数.热轧带钢的性能符合DP350/600和DP400/700钢种的要求.DP400/700在YS/TS约为0.6时为铁素体 马氏体钢,而DP350/600在YS/TS＞0.8时为铁素体 贝氏体钢.应用透射电子显微技术确定了在铁素体 马氏体钢种中有马氏体存在.  

高速钢高温形变典型组织透射电镜分析

应用透射电子显微镜，对Ｗ９Ｍｏ３Ｃｒ４Ｖ钢高温形变典形组织进行了研究。观察和分析了其加工硬化组织及其亚结构、动态再结晶晶核、再结晶的微观过程以及和钢中形变时动态析出的相互关系，指出了Ｗ９Ｍｏ３Ｃｒ４Ｖ钢超细晶粒组织的获得方法  

Al-Cu合金应力时效的动力学研究

对Al-Cu合金分别进行不同的单级和“双级”应力时效处理,结合电阻率测量和透射电子显微镜两种手段,研究了外加应力对于片状析出物析出动力学和择优取向效应的影响。结果表明:在较低温度下时效,相对电阻率在时效初期时出现了较小的上升,说明外加应力对Al-Cu合金的片状GP区有促进作用。在较高温度下时效,相对电阻率没有出现上升阶段,但其下降幅度明显降低,说明外加应力对θ″相的析出动力学也有影响。不同温度下的“双级”时效处理结果表明:外加应力对时效初期择优取向的影响作用要强于对时效后期择优取向的。用扩散理论证明:在共格片状相析出时,扩散系数呈现出明显的各向异性,从而形成了观察到的择优取向效应。  

光学级锗晶体生长方法新进展

介绍了９０年代以来，光学有锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本。