四方真空设备

<正>欢迎登录我公司网站:www.sfpumps.com.cn使用范围JZJW型罗茨-立式无油往复泵机组是以ZJ型罗茨泵为主泵,以WLW型立式无油往复泵为前级泵串连而成。克服了WLW型真空泵极限压力高,在一定压力下抽气速率低的缺点,同时又保留ZJ型罗茨泵工作迅速、有较大抽气速率的优点。所以该机组被广泛运用于化工行业的真空蒸馏、真空蒸发、脱水结晶;食品行业的冷冻干燥,医药行业的真空干燥等工艺过程中。     

Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能

采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.     

真空热蒸发镀CIAS薄膜

采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备Cu In0.7Al0.3Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理。结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长。真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比。薄膜为P型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38 e V,带电粒子数下降至2.41E+17 cm-3,带电粒子迁移率增加至5.29 cm2/(N·s),电阻率升高至4.9Ω·cm。     

《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》出版发行

由东北大学张以忱主编的真空工程技术丛书:《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》两书由冶金工业出版社出版发行。《真空镀膜技术》主要内容:薄膜基础理论、真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空卷绕镀膜技术、真空化学气相沉积(CVD)、离子注入与离子辅助沉积技术、ITO导电玻璃镀膜工艺、薄膜厚度测量与监控、薄膜与表面分析检测技术。书中还系统地介绍了反应溅射镀膜、非平衡磁控溅射和中频交流溅射镀膜技术。     

《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》出版发行

<正>由东北大学张以忱主编的真空工程技术丛书:《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》两书由冶金工业出版社出版发行。《真空镀膜技术》主要内容:薄膜基础理论、真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空卷绕镀膜技术、真空     

《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》出版发行

由东北大学张以忱主编的真空工程技术丛书:《真空镀膜技术》和《真空镀膜设备》两书由冶金工业出版社出版发行。《真空镀膜技术》主要内容:薄膜基础理论、真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜、真空卷绕镀膜技术、真空化学气相沉积(CVD)、离子注入与离子辅助沉积技术、ITO导电玻璃镀膜工艺、薄膜厚度测量与监控、薄膜与表面分析检测技术。书中还系统地介绍了反应溅射镀膜、非平衡磁控溅射和中频交流溅射镀膜技术。《真空镀膜设备》详细介绍了真空镀膜设备的设计方法与镀膜机各机构元件的设计计算、设计参数的选择,其中还重点系统地介绍了磁控溅射靶的设计计算和膜厚均匀性设计。     

Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜(玻璃衬底),研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5%掺Sb的薄膜经380℃热处理30min(氮气保护)得到正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜表面颗粒大小均匀,膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1∶1.49,掺Sb后为1∶0.543,薄膜中Sn、S、Sb分别以Sn2+、Sn4+、S2-、Sb5+存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350~500nm波长范围内基本为零,随着波长增大,光透过率增加,其直接光学带隙为2.2eV,吸收边为564nm;掺Sb后薄膜的光透率明显降低,光学带隙为1.395eV比未掺杂时减小0.805eV,吸收边发生红移为889nm。     

节能和资源回收型电镀废水处理设备

介绍了一种以太阳能和水源热泵为热源,由水射泵产生真空,使电镀废液低温蒸发浓缩,并将蒸发热能全部循环回收,浓缩的镀液重新回用于镀槽,从而实现热能和物料全循环的装置.阐述了该装置的原理,分析了其运行可靠性和节能效益.着重描述了太阳能-热泵热水系统的组成、设计要点及工作模式.介绍了该设备在氰化滚镀银废水处理及回收中的应用.     

倒圆锥面基底蒸发镀膜均匀性理论分析

通过计算得出了蒸发源位于倒圆锥面正下方外部镀膜时锥面上各点的膜厚方程,并对整个锥面上膜厚均匀性进行了理论分析。结果表明：当圆锥面形状固定时,蒸发源与圆锥底圆圆心距离增大使锥面上膜厚均匀性变好;当蒸发源固定时,增大底圆半径导致锥面上膜厚均匀性变差。在同样的配置下,蒸发源为点源或小平面源时锥面上膜厚均匀性的变化趋势一致,小平面源蒸镀比点源蒸镀时圆锥面上膜厚均匀性差。     

CdSexTe1-x薄膜的制备及其XPS表征

本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSex Te1-x三元化合物薄膜。利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征。XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSex Te1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSex Te1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移。