背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理北大核心

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。     

中空介孔硅基刺激响应型纳米药物载体的研究进展

对中空介孔硅的制备方法及其优缺点进行阐述，同时总结了pH、光、氧化还原和多重刺激响应型中空介孔硅药物载体的刺激响应原理及研究进展，最后对其目前存在的问题以及未来研究方向进行了分析和展望。     

氧化锌对磷酸钾镁基防腐涂料的性能影响

为了提高磷酸镁水泥（ MPC）涂料的防腐性能，在 MPC涂料中加入少量的氧化锌并涂覆在 Q235钢表面。通过 Tafel极化曲线、电化学阻抗谱和中性盐雾试验分析改性涂层的防护机理和耐腐蚀性，采用水化热分析、 X射线衍射（ XRD）、扫描电镜（ SEM）、热重分析（ TG-DTG）表征浸泡前后涂层的形貌与成分变化。结果表明： MPC涂料中氧化锌的最佳掺量为 3%，氧化锌的加入使涂层更加密实并在涂层中起到缓蚀剂的作用，使涂层的自腐蚀电位正移；试样在 3. 5%NaCl溶液中浸泡 28 d一直保持稳定，线性极化电阻维持在 10⁶ Ω.cm²数量级，电化学阻抗谱表明改性过后的涂层电阻、电荷转移电阻较空白组明显提高，且盐雾时间 1 440 h后基材未见腐蚀，表现出良好的耐腐蚀性。     

水氯镁石制备金属镁的过程集成与能量分析

以无水氯化镁和氧化镁作为中间产物，电解和热还原为两个关键方法，集成各种相关过程，构建了从水氯镁石到金属镁的综合过程网络，其中涉及24个物种、20个化学过程和25个工艺路线；建立了最低能耗分析模型用于简单和复合过程的能量分析；利用物质的标准生成焓和多温等压摩尔热容，计算得出全部反应过程及工艺过程的能量消耗和热量移除。结果表明基于还原法的最优路径是水氯镁石用石灰法转为氢氧化镁，进而煅烧成氧化镁，再铝热还原成金属镁，该过程能耗360.15 kJ/mol，放出热量–315.46 kJ/mol；基于电解法的最优路径是石灰乳法生成氢氧化镁，再煅烧成氧化镁，通过在熔融电解质中电解生成金属镁，该过程能耗738.54 kJ/mol，放出热量–135.42 kJ/mol。无水氯化镁制备耗能高，不在最优路径中。     

微硅粉悬浮液体地膜制备及其稳定性研究

为实现微硅粉的高值化应用,充分利用微硅粉中的硅、镁、钙等微量元素.实验以六偏磷酸钠为分散剂,黄原胶为稳定剂,通过单因素实验以及三因素三水平正交实验确定出微硅粉悬浮液体地膜配方以及制备工艺,采用沉降实验对不同温度、酸碱、盐体系的悬浮液的稳定性进行分析,借助流变仪、激光粒度分析仪分析流变特性、微硅粉分散性.结果表明:黄原胶、微硅粉、六偏磷酸钠添加量分别为0.15wt％、0.5wt％,0.5wt％时,可得到稳定分散的微硅粉液体地膜悬浮液,悬浮液的最佳保温温度为10～30℃,保证微硅粉悬浮液体地膜悬浮液在40 d之内不产生沉淀,酸碱环境体系对高分子具有一定的腐蚀作用,降低悬浮液的稳定性,pH=7时,悬浮液体系最稳定;同时讨论了不同盐体系对悬浮液体稳定性的影响,结果表明,不同盐体系中,NH4 Cl对体系的稳定性影响最小,当体系添加0.4％NH4 Cl时,体系沉淀量最小,为0.63wt％.     

FCC废催化剂镁改性催化裂化性能再生研究

提出并证实了高的强酸性位可接近性导致FCC废催化剂失活的机制。基于所提出的失活机制，采用浸渍法对FCC废催化剂进行镁改性再生。对所制备的再生FCC废催化剂进行了表征并考察了其重油催化裂化性能。表征结果表明，与未改性的FCC废催化剂相比，再生FCC废催化剂表面酸强度被一定程度地削弱，而表面总酸量和结构性质参数未出现显著改变。重油催化裂化结果表明，得益于适宜的表面酸性，再生FCC废催化剂的催化裂化反应性能得到极大改善。与未改性的FCC废催化剂相比，再生FCC废催化剂的汽油产率显著增加了3.04个百分点，同时干气、液化气、焦炭和重油产率则分别下降了0.36、0.81、1.28和0.87个百分点，这使得所制备的再生FCC废催化剂可以代替部分新鲜FCC催化剂使用。最后，探讨了再生FCC废催化剂表面酸性改变机理。     

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

长期以来,半导体硅材料对信息产业发展起到了决定性的作用。当前纳米集成电路发展起来,使用硅基材料,器件功耗有所降低,运行速度提升,各种负面影响减少。文章着重于探讨纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展。