全文获取类型
收费全文 | 11157篇 |
免费 | 976篇 |
国内免费 | 808篇 |
专业分类
电工技术 | 433篇 |
综合类 | 734篇 |
化学工业 | 2654篇 |
金属工艺 | 762篇 |
机械仪表 | 334篇 |
建筑科学 | 304篇 |
矿业工程 | 140篇 |
能源动力 | 342篇 |
轻工业 | 961篇 |
水利工程 | 66篇 |
石油天然气 | 535篇 |
武器工业 | 76篇 |
无线电 | 1791篇 |
一般工业技术 | 832篇 |
冶金工业 | 527篇 |
原子能技术 | 241篇 |
自动化技术 | 2209篇 |
出版年
2024年 | 40篇 |
2023年 | 157篇 |
2022年 | 244篇 |
2021年 | 286篇 |
2020年 | 284篇 |
2019年 | 240篇 |
2018年 | 222篇 |
2017年 | 323篇 |
2016年 | 454篇 |
2015年 | 418篇 |
2014年 | 586篇 |
2013年 | 718篇 |
2012年 | 765篇 |
2011年 | 943篇 |
2010年 | 791篇 |
2009年 | 855篇 |
2008年 | 717篇 |
2007年 | 815篇 |
2006年 | 777篇 |
2005年 | 543篇 |
2004年 | 454篇 |
2003年 | 468篇 |
2002年 | 356篇 |
2001年 | 283篇 |
2000年 | 241篇 |
1999年 | 200篇 |
1998年 | 120篇 |
1997年 | 126篇 |
1996年 | 88篇 |
1995年 | 65篇 |
1994年 | 49篇 |
1993年 | 55篇 |
1992年 | 38篇 |
1991年 | 51篇 |
1990年 | 24篇 |
1989年 | 24篇 |
1988年 | 20篇 |
1987年 | 15篇 |
1986年 | 18篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 8篇 |
1980年 | 7篇 |
1976年 | 2篇 |
1975年 | 5篇 |
1968年 | 2篇 |
1966年 | 1篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
For the first time, we present the unique features exhibited by power 4H–SiC UMOSFET in which N and P type columns (NPC) in the drift region are incorporated to improve the breakdown voltage, the specific on-resistance, and the total lateral cell pitch. The P-type column creates a potential barrier in the drift region of the proposed structure for increasing the breakdown voltage and the N-type column reduces the specific on-resistance. Also, the JFET effects reduce and so the total lateral cell pitch will decrease. In the NPC-UMOSFET, the electric field crowding reduces due to the created potential barrier by the NPC regions and causes more uniform electric field distribution in the structure. Using two dimensional simulations, the breakdown voltage and the specific on-resistance of the proposed structure are investigated for the columns parameters in comparison with a conventional UMOSFET (C-UMOSFET) and an accumulation layer UMOSFET (AL-UMOSFET) structures. For the NPC-UMOSFET with 10 µm drift region length the maximum breakdown voltage of 1274 V is obtained, while at the same drift region length, the maximum breakdown voltages of the C-UMOSFET and the AL-UMOSFET structures are 534 and 703 V, respectively. Moreover, the proposed structure exhibits a superior specific on-resistance (Ron,sp) of 2 mΩ cm2, which shows that the on-resistance of the optimized NPC-UMOSFET are decreased by 56% and 58% in comparison with the C-UMOSFET and the AL-UMOSFET, respectively. 相似文献
2.
3.
4.
对三网互联的几个关键技术进行分析与研究,介绍利用IP技术解决有线电视网地址选择问题,探讨怎样将ATM技术与IP技术相互融合,使真正的信息高速公路成为现实,阐述利用H.323标准全面解决视频网络方案。 相似文献
5.
6.
Alessandro Fantoni Manuela Viera Rodrigo Martins 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2002,73(2):148
In this paper a set of one-dimensional simulations of a-Si:H p–i–n junctions under different illumination conditions and with different intrinsic layer are presented. The simulation program ASCA permits the analysis of the internal electrical behaviour of the cell allowing a comparison among the different internal configurations determined by a change in the input set. Results about the internal electric configuration will be presented and discussed outlining their influence on the current tension characteristic curve. Considerations about the drift–diffusion and the generation–recombination balance distributions, outlined by the simulation, can be used to explain the correlation between the basic device output, the i-layer characteristics (thickness and DOS), the incident radiation intensity and photon energy. 相似文献
7.
8.
9.
10.
单微乳液中制备Ag/TS-1及丙烯气相环氧化 总被引:2,自引:0,他引:2
采用N2H4还原含AgNO3的单微乳液制备了Ag/TS-1催化剂。TEM表征结果表明,Ag高度分散于TS-1之上。以H2、O2存在下的丙烯气相环氧化为探针反应,考察了Ag/TS-1的催化性能。结果表明,采用Ag/TS-1为催化剂,Ag的负载量为1%(质量分数,下同),823 K焙烧后,373 K下反应30 min时,丙烯转化率为1.69%,环氧丙烷(Propylene oxide,PO)选择性为93.2%。当Ag的负载量超过2%时,反应过程中生成大量的热,造成PO的选择性下降。采用Ag的负载量为8%的Ag/TS-1催化剂,消除热效应后,丙烯的转化率为2.46%.PO的选择性为79.2%。 相似文献