化学气相沉积技术与材料制备

概述化学气相沉积技术是一般原理与技术，总结化学气相沉积技术在材料制备方面的发展与应用状况，着重介绍化学气相沉积技术在制备贵金属薄膜和涂层领域的最新进展。  

钽在集成电路中的应用

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽，碳化钽，氮化钽，硅化钽，氮化硅化钽，氮化碳化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。  

CH4化学气相渗透沉积提高焦炭热性质研究

热解炭化学气相渗透沉积具有填充和修整焦炭气孔的功能，利用甲烷高温裂解生成的热解炭在焦炭内外表面渗透沉积可达到提高焦炭热性质的目的。试验结果显示，经过渗透沉积的焦炭抗CO4反应能力大幅提高，CRI和CSR明显改善，分别从31．04％降低到20．28％和从63．24％提高到77．69％。此外，试验还发现，反应的最佳条件为甲烷混合气的体积分数为47％，在51L／h的流量和1000℃的温度下反应6h。  

影响碲膜光学性能的因素

用XRD，SEM，FTIR光谱仪、UV／VIS／NIR光谱仪表征了由化学气相沉积制备的碲薄膜的结构和光学性能，结果表明碲膜的光学性能受膜的厚度、基体表面性质和膜的表面形貌的影响。沉积在裸聚乙烯箔基体上的碲膜（膜厚293nm）不仅在8-13μm光谱范围的透过率比沉积在Mn-0覆盖聚乙烯箔基体上的碲膜（膜厚216nm）的透过率高，而且还能有效地阻挡太阳光的透过，这些性能说明具有该厚度的碲膜可以应用于太阳光辐射屏与辐射制冷设备。  

RF-PCVD法制备条件对纳米TiO2微晶的影响

采用高频等离子体化学气相沉积法(RF-PCVD)法,以TiCl4 O2为反应体系,制备出了纳米级的TiO2粉体。TEM、XRD等结果表明,颗粒基本呈球形,粒径小于100 nm。从模拟结果和实验结果可以看出:随着汽化温度升高,停留时间延长,二氧化钛颗粒粒度逐渐增大,同时金红石含量也增加。加入AlCl3晶型转化剂,有助于锐钛相向金红石相转化。  

钢基体中碳与铁对化学气相沉积TiN动力学的影响

研究了在碳含量不同搂钢基体上化学气相沉积ＴｉＮ的沉积速率，研究结果表明，随着钢中碳含量的提高，沉积速率呈线性增长，涂层硬度也随碳含量的增加而提高。基于铁的触媒作用，推导出ＴｉＮ的沉积速率方程为Ｖ＝ｈ１＋Ｋ１０×ｘ（Ｃ）；对于碳含量较高的Ｃｒ１２ＭｏＶ钢和碳含量较低的２０钢基体，测得ＴｉＮ沉积表面过程表观活化能分别为１６５．１１ｋＪ／ｍｏｌ和１２０．３８ｋＪ／ｍｏｌ。钢中合金元素对ＴｉＮ沉积速率的影  

RF-PCVD法碳化钨纳米粉的制备

以WCl6＋H2＋C2H2为反应体系，采用高频等离子化学气相沉积法（RF-PCVD）制备了纳米级碳化钨（WC）粉体，用HRTEM（高分辨率透射显微镜）、XRD（X光衍射）表征了WC粉体的形貌和物相组成，粉体为以WC为主体、W2C和WC1-X的多相共存的混合体，微粒呈近球形与少量棱柱形混合体，粒径范围为50-100nm，平均粒径为70nm。  

RF-PCVD法碳化钨纳米粉的制备

以WCl6＋H2＋C2H2为反应体系，采用高频等离子化学气相沉积法（RF-PCVD）制备了纳米级碳化钨（WC）粉体，用HRTEM（高分辨率透射显微镜）、XRD（X光衍射）表征了WC粉体的形貌和物相组成，粉体为以WC为主体、W2C和WC1-X的多相共存的混合体，微粒呈近球形与少量棱柱形混合体，粒径范围为50-100nm，平均粒径为70nm。  

碳纳米管增强CVD金刚石形核的研究

综述了近年来在不同基底上用碳纳米管来增强化学气相沉积金刚石成核的研究进展，并就碳纳米管增强CVD金刚石形核的机制进行了讨论。  

整体毡纤维体积分数对CVD增密的影响

将3组不同纤维体积分数的整体毡采用等温CVD进行沉积热解炭增密,结合CVD沉积过程中整体毡内气体传质数学模型,研究了整体毡的纤维体积分数对CVD增密过程的影响,研究结果表明:纤维体积低的整体毡沉积时增重率高;纤维体积分数高的整体毡容易获得较高密度的C/C复合材料;纤维体积分数超过35％的整体毡经过300 h的化学气相沉积,坯体的体积密度能达到1.52 g/cm~3。