流态化CVD技术制备超细Al_2O_3-SnO_2复合粒子的过程机理

以SnCl_4-H_2O-N_2作为实验体系,采用流态化CVD技术制备了超细Al_2O_3-SnO_2复合粒子.利用透射电子显微镜(TEM)、X荧光光谱仪(XRF)、高分辨电子显微镜(HREM)等现代测试手段考察了SnO_2在Al_2O_3表面的分散形态及操作参数对SnO_2成膜与成核的影响.讨论了化学气相包覆过程机理.     

我国中小企业发展前瞻

扫清中小企业发展障碍。目前中国发展面临的最重要的结构问题概括起来有四点：内需不足、民众总体收入过低、贫富差距过大、中小企业发展困难。而逻辑起点就是中小企业的发展遇到了困难。中小企业在国民经济中占比持续下降的第一个直接后果是,贫富差距扩大,并导致民众总收入持续下降,从而导致内需不旺。解决内需的最终核心问题,就是扫清中小企业发展的障碍。     

纳米α-FeOOH颗粒的形态和结构

以硫酸法钛白的副产物绿矾为原料，采用滴加法制备纳米铁黄（α－FeOOH）颗粒。研究了反应体系的pH值、反应温度、通氧速率、搅拌速率和添加剂等对铁黄颗粒形态结构的影响，采用XRD、TEM等分析手段对颗粒进行表征。结果表明，调节体系pH值能控制铁黄晶型结构和色相；改变通氧速率、搅拌速率、添加剂种类以及反应温度等可以调节纳米α－FeOOH的大小和分散性。     

流态化CVD制备TiO_2－Al_2O_3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征．结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成膜包覆使复合粒子比表面积减小．     

网虫爬行线 十四

喜欢玩三维制作的朋友可不要错过这个知名三维软件网站。给人的第一印象就是它的设计很COOL,在制作过程中充分结合了效果图的方式,具有较高水准。     

导电性电子束抗蚀剂

随着集成电路图形的微细化,具有微细图形描绘能力的电子束曝光益显重要。这种技术可用于光掩膜、中间掩膜、不能用光曝光来形成微细图形的GaAs器件和Si器件的制作,以及特定用途的集成电路(ASIC)的制作等方面。电子束在曝光过程中,当所描绘的目的物是绝缘或近于绝缘材料时,由于描绘时带电,所以存在电子束照射点偏移,描绘图形精度降低等缺点,如造成变形。即使是Si基板上的多层抗蚀剂,也会因多层抗蚀剂中残留的入射电子而使其图形精度下降。为了防止带电,传统的作法是在抗蚀剂表面和多层抗蚀剂之间形成金属Si等导电膜,以放出电荷。但这种方法必须在工序中引     

耐热性电气绝缘材料的近况

绝缘材料的耐热性能直接影响到电气、电子机器的寿命和可靠性。作为耐热性绝缘材料必须具备以下条件: 1.耐热老化性好在高温下具有良好的热稳定性是耐热性绝缘材料的前提条件。现在的目标是至少要在150℃以上稳定使用2～4万小时。 2.不易热软化必须有高的玻璃化温度、软化点和熔点,不易产生热软化和热变形。结晶性高分     

抗蚀剂进展

1988年ISCC试制了16兆位随机存取存储器(16MDRAM),线宽达0.5μm,但16MDRAM的光刻照相技术目前仍处于探索阶段,现正研究在制造工艺中使用哪种波长的光源最为有利,诸如g线(436nm),i线(365nm),激态分子激光(248或193nm),x线,电子束等。现将目前开发的抗蚀剂作一简介,以探索今后的方向。 1.抗蚀剂特性硅片等基片涂布抗蚀剂后,经干燥、曝