全文获取类型
收费全文 | 86篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
电工技术 | 13篇 |
综合类 | 15篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
建筑科学 | 8篇 |
能源动力 | 3篇 |
水利工程 | 7篇 |
石油天然气 | 14篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 14篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 8篇 |
出版年
2021年 | 5篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 8篇 |
2006年 | 4篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有93条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
由于单通道电液位置伺服系统是一种非线性时变系统,而且有阻尼比小、参数变化大、非线性程度高的特点,传统的PID控制已经很难满足六自由度并联平台的控制精度的要求。针对六自由度并联平台单通道的数学模型,采用遗传算法对其PID控制器的参数进行优化控制,以满足系统的控制精度的要求。仿真结果表明该控制系统的性能指标有了很大改善,证明了该遗传算法的可行性和有效性,克服了传统PID整定参数费时的缺点,对解决实际控制问题提供了有效的方法,并且具有良好的抗干扰能力,其适应性(鲁棒性)也有了很大的提高。 相似文献
3.
3D数字打印技术的快速发展与广泛应用,对我们的国家社会经济发展进步具有重要的推动作用,对于提高人们的生活质量十分有利,同时3D数字打印的新技术在现代建筑工程技术中的应用也日益增多,对我国建筑工程未来的良好技术发展趋势有着重大的促进推动力和作用,3D打印技术在其他领域也有了广泛的应用,例如医学生物学方面,通过3D打印向人们展示了新的医学发展,对于提高人们的生活质量有着积极地促进作用。 相似文献
4.
针对武器装备科研生产走中国特色军民融合式发展道路,推行武器装备科研生产全过程竞争,武器装备采办竞争策略应用研究成为迫切需求。分析了竞争策略及其适用条件,以及装备采购基本方式,针对现行装备采购方式,从限制单一来源采购,最大化竞争规模,提出武器装备采办竞争应用策略。 相似文献
5.
速度模型精度问题已经成为制约逆时偏移实际应用效果的瓶颈,尤其是在复杂构造区,受制于目前积分法偏移速度分析固有的多路径问题缺陷,得到的成像道集质量和偏移速度模型精度往往难以满足逆时偏移的成像要求。基于此,开展逆时偏移角道集构建及速度分析方法的研究。首先,开展了波前矢量逆时偏移角度域共成像点道集构建方法的研究,该方法物理意义明确,计算效率较高。与传统偏移距域及炮域成像道集相比,逆时偏移角道集能够有效解决多路径问题,减少偏移假象,提高道集成像质量;其次,推导了新的纵波角度域速度更新公式,并且实现了逆时偏移角度域速度分析方法,模型数据的数值实验结果表明了该方法的正确性和有效性。 相似文献
6.
与传统深度偏移成像方法相比,基于双程波的逆时偏移方法针对地下陡倾角地区和复杂地下地质条件地区的成像有着无可比拟的优势。逆时偏移方法的实现通常有3个步骤:①在时间域实现震源波场的正向外推;②在时间域实现检波点波场的反向外推;③应用合理的成像条件构建成像结果。在实际应用过程中,通常是采用互相关成像条件来构建成像,然而,互相关成像条件构建的逆时偏移成像结果会产生强振幅的低频噪音,这些噪音会极大地降低资料的信噪比,容易导致浅层构造被噪音掩盖而无法识别,仅采用单纯的带通滤波并不能很好地滤除这种噪音。提供了一种新的基于波场分离理论的逆时偏移成像条件,此方法能有效地消除这些特定的噪音,其核心思路就是将震源及检波点波场分离成它们的单程波传播分量,然后仅在反射点处利用互相关的成像条件构建成像结果,从而实现逆时偏移成像。Marm-ousi模型数据验证了该方法的准确性;同时,采用文中提到的成像条件在准噶尔盆地百口泉地区进行了逆时偏移测试,测试结果充分证明新成像条件对野外资料的适应性。 相似文献
7.
军队装备保障走军民融合式发展道路已成为装备建设的现实需要和客观要求,也是装备保障体制改革和补充军民结合、寓军于民的武器装备科研生产体系的重要内容。从军民融合式装备保障结构性问题出发,描述了军民融合式装备保障模式内容,在此基础上,设计了军民融合式装备保障理想模式,包括军民融合式装备保障参与主体、组织机构、运行机制以及组织实施等内容。 相似文献
8.
9.
10.
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。 相似文献