长沙市气象资源共享公共平台网络信息安全防护思路

为实现长沙市气象资源共享,长沙市气象局组织研发、建设了气象资源共享公共平台,本文主要介绍该平台在网络信息安全防护方面规划、建设思路,供类似网络平台建设参考.     

利用Forefront TMG提高高校校园网网络安全的研究

首先分析了当前高校校园网中普遍存在的安全问题,以及现行防火墙的不足;其次,分析了Forefront TMG的新特性;再次,结合高校校园网的现存问题及TMG的新特性提出了部署方案;最后在测试运行后,对本方案作出了评价,并作出了展望。     

探析高职院校智慧校园中云计算技术的应用

随着我国互联网技术的高速发展,逐渐涌现了物联网、云计算以及大数据等一系列计算机技术,教育对信息化的需求不断扩大,社会广泛关注高职院校的智慧校园建设.云计算技术作为计算机的核心技术之一,对于智慧校园的建设起到至关重要的作用,在高职院校智慧校园建设中应用云计算技术,能够促进智慧校园海量信息资源之间的共享,提升智慧校园计算机云服务和计算速度,是实现智慧校园建设的必要途径.基于此,对高职院校智慧校园的特征和信息化建设情况进行了深入分析,并且综合分析了高职院校智慧校园中云计算技术的应用现状,以当前的云计算技术作为基础,对智慧校园建设提供了理论建议.     

基于项目的任务驱动式教学方法在LINUX教学中的应用

为化解LINUX操作系统在学习过程中的枯燥、难学的问题。本文在分析项目教学与任务驱动式教学的基础上,提出了基于项目的任务驱动式教学法,并给出了在LINUX操作系统教学应用实例。     

玻璃组分对Fe-Ga合金熔体净化效果的影响

研究了在循环过热过程中不同组分玻璃净化剂对Fe81Ga19和Fe72.5Ga27.5合金熔体获得的过冷度及其稳定性的影响。结果表明,通过物理-化学复合净化作用,90%Na-Si-Ca+10%B2O3(记作Na-Si-Ca-B玻璃)可使Fe81Ga19合金熔体在循环过热过程中获得250K的稳定深过冷。但是,由于高温(1273K)下Na-Si-Ca-B玻璃粘度过大,在循环过热过程中会大量吸附液态Ga,会使Fe72.5Ga27.5合金发生严重的Ga元素损耗。9.4%SiO2+84.6%Na2B4O7+6%CaO(记作Na-B-Si玻璃)的净化机理与Na-Si-Ca-B玻璃相似,它能使Fe72.5Ga27.5合金获得高达325K的深过冷,且由于其适中的高温粘性可有效避免Ga元素损失的发生。     

TiN薄膜的合成及其性能研究

用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。     

页岩对CO2的绝对吸附量及其影响因素试验研究

为研究页岩在CO_2作用下达到吸附平衡过程中对CO_2的绝对吸附量(n_a)及其影响因素,考虑吸附相体积和页岩体积应变两个因素对吸附系统自由空间体积的影响,基于质量守恒原理推导了适用于"阶段平衡法"的CO_2绝对吸附量计算模型。利用自主研发的"高温高压页岩吸附膨胀仪"开展了0～16 MPa CO_2压力下页岩吸附-变形试验,结合试验计算结果分析了CO_2质量注入量、吸附相体积、试件体积应变3个因素对n_a的影响。结果表明:低CO_2压力下使用该模型计算的n_a值与常规绝对吸附量经验公式计算结果较为一致,当CO_2压力高于4 MPa时CO_2绝对吸附量的计算值明显大于经验公式计算结果,且差值随平衡压力升高而逐渐变大;拟合结果显示:n_a与CO_2平衡压力满足指数函数关系。由CO_2质量注入量因素所引起的吸附量占n_a的比例随平衡压力升高持续降低;由吸附相体积因素所引起的吸附量占n_a的比例随平衡压力升高而增加,在平衡压力高于6 MPa后达到50%以上,吸附相体积因素成为影响n_a的主导因素;由CO_2质量注入量与吸附相体积因素所引起的吸附量占CO_2绝对吸附量的95%以上,而页岩体积应变因素所引起的吸附量对n_a的影响较小,占n_a的比例始终位于5%以下,但对其他吸附质如煤而言,吸附CO_2产生的体积变形量可达试件体积的10%,此时体积应变因素将对n_a产生较为显著的影响。     

离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟SCIEI

本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注入计算和蒸发沉积计算两大部分组成。离子注入计算以二体碰撞近似为基础,以随机固体为靶模型,对入射离子和所有反冲原子的力学运动进行跟踪。程序中考虑了沉积原子对靶室中某些残余气体分子的吸附;还表达了靶的组份及密度在IBED过程中的不断变化,从而实现了靶的动态化。该程序可以提供IBED薄膜组份的深度分布、界面混合以及能量沉积等信息。计算结果表明,在IBED氮化钛薄膜中,Ti沉积速率对薄膜组份有很大影响。当沉积速率较低时,薄膜组份基本与注入离子和沉积原子的到达率比(N/Ti)无关。膜与基体间的混合层厚度随离子原子到达率比(N/Ti)增加而增加。计算结果与实验测试结果符合很好。     

离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟

Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算中,用一个间断交替的薄膜生长过程(先沉积一层硅原子,然后注入一定量的氮离子)来代替实验上一个沉积原子和离子轰击同时进行的连续过程,且在注入一定量的离子后,对每层原子的组份,密度进行修正,使模拟达到动态化.计算结果表明,薄膜组份比随离子原子到达比的变化关系以及组份的深度分布和实验符合很好.