多层界面相对SiCf/SiC复合材料综合性能的影响

界面相的存在对于SiCf/SiC复合材料的力学性能和抗氧化性能有重要影响,选择合适的界面相对于复合材料本身性能至关重要。本工作采用化学气相渗透工艺制备了具有三种不同界面的SiCf/SiC复合材料,即：SiCf/BN/SiC;SiCf/(BN-SiC)/SiC和SiCf/(BN-SiC-BN)/SiC,研究了多层界面相对材料本身力学性能和抗氧化性能影响。结果表明,界面相的存在有利于维持并提高材料本身的力学性能和抗氧化性能,并且在三种复合材料中,SiCf/(BN-SiC-BN)/SiC复合材料在1200 ℃高温有氧环境强度保有率最高约为95%,并且呈现出更好的自愈合能力。     

VBA访问远程数据库及长数据类型的方法

本文介绍了用Ｗord ＶＢＡ开发网络多媒体数据库时涉及的访问远程数据库、ＡＤＯ技术以及存取长数据类型等问题的解决方法,并对使用扩充关系数据库的方法实现多媒体数据库,利用Word VBA/SQL Server分别作为前／后端编程工具作了探讨。     

MAX相Ti3SiC2高导电涂层的研究进展

钛硅碳(Ti3 SiC2,TSC)是一种兼具金属材料和陶瓷材料优异性能的新型三元化合物MAX相.Ti3 SiC2作为高导电功能涂层具有很大的应用潜力,近年来受到越来越多的关注.Ti3 SiC2涂层的制备技术在不断改革优化,主要有五种常见制备工艺,分别是化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、固相反应合成法(Solid-state reaction)、气溶胶沉积法(ADM)和热喷涂法(Thermal spraying).Ti3 SiC2涂层的性能在很大程度上与其纯度相关,通常制得的Ti3 SiC2涂层均含有一定程度的杂质,这是制约其广泛应用的一个重要因素.Ti3 SiC2涂层中经常出现的杂质主要是TiC、Ti5 Si3、SiC、TiSi2等,不同的制备方法产生的杂质种类也不一样.为了提高Ti3 SiC2涂层的纯度,需要对其制备工艺进行探索和优化.目前,反应化学气相沉积(RCVD)实现了通过消耗碳化硅(SiC)子层在石墨基底上生长纯Ti3 SiC2涂层.近年来利用ADM也实现了在室温下合成纯Ti3SiC2涂层,这一技术降低了常规Ti3SiC2涂层的合成温度.此外,PVD法不仅为低温制备Ti3SiC2涂层提供了可能性,还实现了Ti-Si-C复合涂层的工业化生产.本文综述了Ti3 SiC2涂层的研究现状,分析了Ti3 SiC2涂层独特的晶体结构及优异性能,介绍了近年来几种常见的Ti3 SiC2涂层制备技术,并指出了目前合成纯Ti3 SiC2涂层所面临的巨大挑战.     

BCl3-NH3-H2-N2前驱体化学气相沉积法制备氮化硼涂层

以BCl₃-NH₃-H₂-N₂为前驱体系统, 在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备氮化硼(BN)涂层, 分析了工艺参数对沉积速率的影响, 通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面BN涂层的形貌和微观结构, 提出了BN沉积过程中主要的气相和表面反应, 以及关键气相组分。研究结果显示：在600~850℃的范围内, 随着沉积温度的升高, BN沉积速率逐渐加快, 同一温度下, 沉积区域内BN沉积速率沿气流方向逐渐减缓, 表明气相组分在气流方向逐渐消耗; 随着系统压力的提高, BN沉积速率先加快后减缓, 表明沉积过程由表面反应控制转变为质量传输控制; 随滞留时间延长, 距气体入口1~3 cm处, BN的沉积速率逐渐增大, 而距气体入口4~5 cm处, 沉积速率先增大后逐渐变小。SEM照片显示碳化硅纤维表面BN涂层光滑致密, XPS结果表明主要成分为BN及氧化产物B₂O₃, XRD图谱表明热处理前BN为无定形态, 1200℃热处理后BN的结晶度提高, 并向六方形态转变。BN的沉积是由BCl₃和NH₃反应所生成的中间气相组分Cl₂BNH₂、ClB(NH₂)₂和B(NH₂)₃来实现的。     

基于系统管理核的龙芯睿频方法

针对龙芯处理器调节自身电压会影响CPU负载的正常运行, 导致处理器无法运行在高压下进而影响高频的稳定运行问题, 提出一种基于系统管理核(system management controller, SMC)的睿频方法, 充分利用系统管理核实时监测并动态调节处理器核的电压和频率. 同时, 为保证系统管理核程序运行的实时性以及其与处理器核之间的快速通信, 在其系统程序中搭载RT-Thread实时操作系统并设计“Service Request”核间通信协议; 结合动态调频调压模块和自动化温度控制模块, 实现系统管理核对处理器核频率、电压与温度的统一管理. 龙芯3A4000处理器的实验数据表明, 该方法有效且可靠, 处理器在整体功耗增加了25.5%的情况下, 综合性能提升最高可达34.2%.     

基于遗传分形编码的嵌入式小波图像编码算法

在分析小波变换与分形编码特点的基础上,提出了一种新的基于遗传分形编码的嵌入式小波图像编码算法。根据图像进行小波变换分解为不同空间频带上的子图像这一特性,对其低频子带进行基于遗传算法的分形编码,利用遗传算法的快速全局搜索能力提高分形编码中值域块与定义域块的匹配搜索速度;对其高频子带部分进行阈值去噪处理后进行SPIHT编码,两部分同时进行,提高图像的压缩效率。实验结果表明：同传统的分形编码和SPIHT编码压缩方法相比,该算法在图像的重构质量方面有所提高,尤其是在中低码率下PSNR(峰值信噪比)得到了较大提高,并且算法执行时间明显减少。     

采用J2EE安全机制支持RBAC模型的研究和实现

实现了用J2EE安全机制来支持RBAC模型的方法。给出了J2EE保护系统的配置，并设计一个鉴权决定算法。用J2EE安全的描述语言定义了RBAC模型，给出了实现J2EE安全服务的需求。通过在国家科技基础条件平台的部署和应用，取得了预期的效果。     

基于J2EE的访问决定服务的研究与实现*

提出了基于J2EE的访问决定服务模型——JRADS,它把应用级的鉴权逻辑从应用逻辑中分离出来,从而很好地解决了分布式应用资源的访问控制问题。首先给出了应用系统与JRADS之间的接口,然后设计了JRADS的逻辑构件,再设计了主要运行元素、管理元素以及它们相关的辅助构件,最后给出了实现JRADS模型的接口及其方法。通过在国家科技基础条件平台的应用,取得了预期的效果。     

中间件安全封装技术

软件系统采用的中间件安全性不高,针对该问题设计4种封装器,确保中间件在安全环境下执行,为中间件之间、中间件和其他系统资源之间的交互提供细粒度控制。研究封装器的表示方法,使用box-π微积分描述封装器和安全封装过程,分析各种封装器的安全性。     

一种基于Boltzmann方程的碳基复合材料氧化烧蚀微观界面的追踪方法

针对碳基复合材料的非均相特点,构建环境-纤维—中间相-基体多相单胞烧蚀模型,应用非平衡统计物理学的Boltzmann方程,求解该扩散—表面非均相氧化反应体系中各相的空间演化过程,实现对介尺度下烧蚀界面的精确追踪。本文先对两相单胞模型进行了求解,获得了与解析解一致的结果,验证了模型。再对三相单胞模型的烧蚀过程进行了数值模拟。结果表明,氧化烧蚀界面的形貌主要取决于相邻两相之间的状态;气相浓度的线性化假设在远离界面处具有合理性,但在界面附近气相浓度呈非线性分布。由于扩散的限制,纤维与基体之间的界面相在氧化烧蚀过程中存在最大烧蚀深度。通过数值模拟给出了烧蚀深度与舍伍德数、纤维半径和反应速率比之间的函数关系,提出的界面追踪算法在求解过程中表现出了很好的稳定性。