高压氧治疗皮质下缺血性血管性疾病患者步态障碍的临床观察

目的:观察高压氧治疗皮质下缺血性血管性疾病患者的步态障碍疗效.方法:对36例患者高压氧治疗前后进行平衡功能评定及步态分析,平衡功能评定采用Berg量表,步态分析采用足印法收集步态资料,主要测量每位患者的步幅、步速.结果:皮质下缺血性血管性疾病患者与对照组比较存在平衡功能的下降,经过高压氧治疗后平衡功能、步幅、步速有明显改善,差异有统计学意义.结论:高压氧治疗对改善皮质下缺血性血管性疾病患者的步态障碍有一定的疗效.     

多巴胺分子印迹电极的制备及其应用于人体尿液中多巴胺的分析检测

以多巴胺(DA)为模板分子，吡咯为功能单体，构建特异性识别多巴胺的分子印迹电极，对所形成的分子印迹膜进行了表征。对缓冲溶液的p H值、洗脱剂的比例、洗脱时间、模板分子浓度等条件进行优化，最终在pH为6.2，洗脱剂甲醇∶水=3:1(V/V)，洗脱时间3 min，模板分子浓度8μg·mL^-1条件下构建电化学传感器。此电化学传感器在多巴胺浓度为0.5～10μg·mL^-1范围内线性拟合良好，相关系数R²=0.990 59，检测限(LOD)为0.1μg·mL^-1。用于检测人体尿液中多巴胺的含量，检测过程样品无需洗脱，加标回收率为92.1%～103.2%，相对标准偏差(RSD)小于3%。     

GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。     

掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用

采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p -AlIn-As-n -InP和p -InP-n -InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p -AlInAs-n -InP隧道结性能优于p -InP-n -InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p -AlInAs-n -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.     

金属键合技术及其在光电器件中的应用

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用.金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用.金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大.     

干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.     

溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究

采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400 ℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301 μA/cm²。     

稀硫酸-亚硫酸盐法预处理枯死松木的原位纤维素乙醇生产

报道了稀硫酸-亚硫酸盐法预处理软木的纤维素乙醇生产效率。通过采用一株耐受代谢抑制剂的酿酒酵母菌株Y5,对预处理后的固体酶解物及水解液的混合物进行批式及补料批式同步糖化发酵的研究。结果表明:预处理软木混合物中的所有可发酵糖能够在72h内被Y5全部利用,最后的乙醇浓度达到22.2g/L,相应的乙醇发酵产率为0.44g/g。批式与补料批式SSF,除了补料批式发酵24h内的乙醇生产速率高于批式发酵外,并没有其他明显区别。