小波变换用于钢丝绳断丝检测的研究

本文采用漏磁场探伤方法对钢丝绳断丝进行检测,该方法的原理是利用励磁磁场和缺陷(即钢丝断丝处)相互作用产生的漏磁场来检测钢丝绳断丝,并且利用霍尔元件能够准确地获取漏磁场信号.首次把声表面波式小波变换的重构器件应用于钢丝绳断丝检测中.发现声表面波器件的发射叉指换能器和接收叉指换能器的指条重叠包络均按照小波函数(如Morlet小波)包络设计时,从而得到声表面波器件的发射叉指换能器和接收叉指换能器的脉冲响应函数均等于小波函数,所以制作出了声表面波式小波变换的重构器件.该器件是一带通滤波器,其相对带宽是1.1%,所以该器件可有效滤除干扰信号.     

光电子学与光通信

目前微电子芯片中功能强大的，广泛使用的硅晶体管从微型化的角度说已接近其技术极限，新的技术途径在不断探索之中。光微芯片乃至光计算机是被广泛研究的极具吸引力的新技术之一，光通信更是推动人类进入通讯新纪元的关键技术。     

高效率MINP硅太阳电池的研制

用扩散法制作MINP硅太阳电池的轻掺杂N区,用PECVD方法淀积的Si_3N_4作其减反射膜,在电阻率为1.5±0.5Ω·cm的P型硅衬底上制取了转换效率为16.5%的MINP太阳电池(有效面积AM1.5、100mw/cm~2、25℃)。本文分析Si_3N_4作MINP电池减反射膜的优点,并对限制MINP太阳电池性能进一步提高的因素进行讨论。     

纳米抗菌抗病毒毛织物整理研究

采用激光纳米粒度仪对所配制的抗菌、抗病毒整理剂进行纳米粒度分析，对整理剂试样进行了fTIR、XRD结构特性分析，利用SEM对整理剂涂层及在织物表面的存在状态进行分析。结果表明，纳米颗粒在涂层整理后仍能保持原有的纳米结构状态。利用金黄葡萄球菌、大肠杆菌、白色念珠菌进行抗菌实验，利用单纯疱疹病毒Ⅰ(RNA)、柯萨奇病毒B1(DNA)进行抗病毒实验，均取得了良好的效果。     

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成 PVK和 P6 共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性 .用不同比例 PVK∶ P6 共混材料为发光层和 Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件 ,测量器件的电致发光谱、电流 -电压特性和亮度 -电压特性 .结果表明 ,共混材料的光致发光强度比 PVK和 P6 都有明显的增强 ,且随 PVK浓度的增加而增强 ;器件电致发光强度随 PVK浓度的增加而增强 ;不同 PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响 ,发光亮度随 PVK掺杂浓度的增加而增大 .     

MINP太阳电池及其表面复合的分析

本文讨论了MINP太阳电池表面对光生载流子复合的影响,得出无栅区表面势与掺杂浓度和氮化硅中固定正电荷的关系,并分析了无栅区和电极区表面势对复合的影响。该电池在不增加复杂工艺的基础上可提高转换效率,目前我们用氮化硅作抗反射膜的电池,其有效面积转换效率达15.2％(AM1.5,100mW/cm~2,28℃)。     

变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

本文介绍一种测量MIS太阳电池的新方法—变温光电法,用这种方法可精确地测出MIS太阳电池的表面势垒高度、品质因数和界面态密度。     

MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.     

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。     

金属楔形发射体电子场发射理论研究

提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础，用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒，然后用Numerov方法计算其透射比，最后得到楔形发射体的场发射伏安特性，还分析了几何结构参数对楔形发射体场发射特性的影响。