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脉冲激光沉积La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3薄膜结构及输运特性的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2,3Sr1/3)2,3MnO3(LCSMO)薄膜。薄膜的x射线衍射谱表明,薄膜具有铫钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向:用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦;在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻一温度试验曲线表明,在温度77K~400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属一绝缘体转变温度(TM1)出现;薄膜的红外透射谱在606cm。处宵一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙氏。。大约为0.7eV,薄膜的光学折射率为1.373。分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的。 相似文献
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用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La(0.9)Ce(0.1)MnO3(LCEMO)单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(100)方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应,相变温度(T_(MI))为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0+R1T-2+R2T^4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光(532nm,40mW)作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系:R(t)=R0+Aexp(—t/r),说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象. 相似文献
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