针对RSA-CRT数字签名的光故障攻击研究

通过研究密码芯片SRAM存储单元构造,利用激光改变进行运算的SRAM存储单元的逻辑状态,分析光注入对SRAM存储单元的影响。以Montgomery乘的 RSA－CRT数字签名算法为攻击对象,分析其算法的实现过程和故障注入机理。针对密码芯片实现的8位RSA－CRT签名算法,使用半导体激光作为注入光源,搭建光注入实验平台,在计算Sq时刻进行故障注入,从而得到故障签名,通过分析故障签名与N的关系,成功的获得了大素数q,验证了光故障攻击的有效性。     

密码芯片光辐射依赖性分析磁

通过分析 CMOS 集成电路光辐射机理,利用单光子探测技术,搭建针对 CMOS 电路光辐射采集平台;以运行固定指令的 AT89C52微控制器为分析对象,分析密码芯片光辐射信息与其执行的操作及处理的数据存在的依赖性关系,同时也分析了不同工作电压对密码芯片光辐射的影响;通过对密码芯片光辐射进行分析,说明光辐射旁路分析对安全芯片构成了严重的威胁。